Радиационный дефект

Cтраница 1

Радиационные дефекты в физике, химии п биологии, Атомиздат, 1965, стр. [1]

Радиационные дефекты, образующиеся в твердых телах при невысоких температурах, представляют большой интерес, если они являются достаточно устойчивыми. Наличие устойчивых дефектов после облучения изменяет активность твердых катализаторов. [2]

Радиационные дефекты изменяют физические свойства кристаллов: ионную проводимость, плотность, твердость, оптические свойства. Радиационные дефекты, образующиеся в твердых телах при невысоких температурах, представляют большой интерес, если они являются достаточно устойчивыми. Наличие устойчивых дефектов после облучения изменяет активность твердых катализаторов. [3]

Радиационные дефекты в ионных кристаллах образуются преимущественно за счет электронного возбуждения. Для интересующего нас случая щелочно-галоидных кристаллов при малых и средних дозах облучения до 1010 - 10й эрг-см 3 самыми массовыми радиационными дефектами являются различные центры окраски. Подобные, созданные радиацией точечные дефекты вызывают избирательное поглощение света, обусловливая появление полос поглощения в области спектра, заключенного между краями собственного поглощения в ультрафиолетовом и инфракрасном диапазонах. Конечным продуктом коагуляции F-центров являются коллоидные частицы. О дырочных центрах ( V-центры и др.) мы специально говорить не будем, отметим лишь то, что их можно трактовать с квазихимической точки зрения как некие квазимолекулы или квазиионы типа Х, локализованные в двух соседних анионных узлах ( Ук-центр) или в узле и междоузлии. В последнем случае мы говорим об Н - центре. Основная часть поглощенной энергии излучения запасается на F-центрах и образующихся из них агрегатов. [4]

Радиационные дефекты, по Френкелю, могут возникнуть при облучении кристаллов быстрыми частицами: нейтронами, дейтронами, а-частицами, осколками деления ядер и электронами. Возникающие при облучении кристаллов у-кватами фотоэлектроны и комптонэлектроны также вызывают структурные дефекты. В отличие от тепловых, радиационные дефекты термодинамически неравновесны, в результате чего состояние кристалла после прекращения облучения не бывает стационарным. Отжиг кристаллов при высокой температуре ( после облучения) ускоряет диффузию радиационных дефектов и их рекомбинацию. [6]

Механические свойства некоторых биметаллических труб.| Влияние температуры испытаний на прочность соединения слоев. [7]

Радиационные дефекты оказывают влияние на механические свойства, по изменению которых оценивают радиационную стойкость конструкционных материалов. [8]

Радиационные дефекты способны изменять объемные и поверхностные свойства материалов. Характер изменения свойств зависит от длины пробега частицы или излучения. [9]

Радиационные дефекты способны изменять объемные и поверхностные свойства материалов. Характер изменения свойств зависит от длины пробега частицы или излучения. К поверхностным дефектам приводят облучения электрозаряженными частицами излучениями низких энергий; к объемным дефектам - облучение быстрыми нейтронами. [10]

Распределение по энергиям электронов, прошедших алюминиевую фольгу. [11]

Наблюдающиеся иногда радиационные дефекты в ходе электронно-микроскопического исследования металлов ( например, тетраэдры из дефектов упаковки в Аи) при ускоряющем напряжении, существенно меньшем указанного порога ( например, при 100 кВ), объясняются действием бомбардировки ионами, которые могут возникать в электронной пушке микроскопа. [12]

Отжиг радиационных дефектов, как правило, необратим, поскольку их концентрация значительно выше равновесной. Последующий отжиг такого образца при 400 С в течение 15 ч не уменьшает концентрацию электронов проводимости, но если отжиг проводить при меньшей температуре, например 100 С, то концентрация водородных доноров быстро уменьшается и стремится к равновесному значению - Ю15 см-3. Таким образом, каждой температуре отжига соответствует равновесная для нее концентрация донорных центров. [13]

Зависимость дозы аморфизации кремния и германия от атомного номера внедряемого иона ( Е - 30 кэВ, Т - комнатная ( а. температурная зависимость дозы аморфизации германия при внедрении ионов 31Р (. 30 кэВ ( б и зависимость дозы сплошной 1 и поверхностной 2 аморфизации кремния от массы внедряемого.| Отжиг радиационных дефектов в кремнии после внедрения ионов 121Sb с энергией 40 кэВ. [14]

Отжиг радиационных дефектов происходит при различных температурах в зависимости от того, образовался или нет аморфный слой в процессе ионного внедрения. Рекристаллизация аморфизованного слоя в германии происходит при температуре 400 - 500 С, в кремнии - при 600 - 700 С. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5