Радиационный дефект

Cтраница 2

Присутствие радиационных дефектов, как правило, нежелательно, поэтому их устраняют термической обработкой. Экспериментально установлено, что термическая обработка при 970 - 1170 К в течение 2 - 4 ч полностью устраняет радиационные нарушения структуры монокристалла и обеспечивает стабильность его электрофизических характеристик. [16]

Для возникновения радиационных дефектов наибольшее значение имеют упругие столкновения быстрых частиц с атомами кристалла. Если энергия, переданная в результате упругого столкновения от движущейся частицы атому мишени, превышает некоторое значение, то атом мишени, выбитый из узла решетки, оставляя вакансию, движется через кристалл. Наименьшее значение энергии Ed, которую необходимо передать одному из атомов кристалла, чтобы он оказался в ближайшей междоузельной позиции, называют пороговой энергией. Если энергия, переданная атому быстрой частицей, меньше Еа, то смещения атома не происходит, а возникают лишь упругие волны, энергия которых переходит в энергии; теплового движения атомов. [17]

Снижению стабильности радиационных дефектов способствует повышение температуры эксплуатации, наличие сопутствующих более мягких излучений. [18]

Для устранения радиационных дефектов монокристаллы кремния после облучения подвергают отжигу. В ходе-его происходит термический распад дефектов и их диффузия на стоки или аннигиляция на центрах. Экспериментально установлено, что отжиг при 700 - 800 С в течение 0 5 - 2 0 ч полностью устраняет радиационные нарушения структуры монокристаллического кремния и обеспечивает стабильность его электрических свойств. Отмечено, что с ростом температуры отжига возрастают стабильные значения. [19]

Причем под радиационными дефектами в зависимости от вида обрабатываемой структуры могут подразумеваться: нарушения состава и кристаллической структуры поверхностных слоев, пробои диэлектрических пленок, изменения электрофизических характеристик МОП структур, контактов и / ья-переходов. Наибольшую опасность с точки зрения внесения радиационных дефектов представляют процессы ХОГФ, активируемые плазмой и фотонами в ультрафиолетовой области. [20]

Рассмотрим механизм возникновения радиационных дефектов при облучении кристаллов нейтральными и заряженными быстрыми частицами. [21]

Образуется в результате отжига радиационных дефектов. [22]

Характерно, что устойчивость радиационных дефектов по отношению к отжигу возрастает при увеличении дозы облучения. [23]

Скорость образования и отжига радиационных дефектов как в n - Ge [409-415], так и в p - Ge [381, 416-418] зависит от зарядового состояния примесных центров, поэтому оказывается чувствительной к освещению отжигаемого ( облучаемого) образца и к дополнительному облучению электронами, энергия которых ниже пороговой. [24]

При некоторых критических концентрациях радиационных дефектов кристаллическое состояние становится неустойчивым и происходит переход в аморфное состояние. Такой переход наиболее легко осуществляется в твердых телах с ковалентным типом связи. [25]

Схемы установки для ионного внедрения с магнитной сепа - - рацией пучка ионов ( а и источника ионов ( б. [26]

Недостатком метода является обилие радиационных дефектов в облученном материале вплоть до образования на поверхности аморфного слоя. [27]

Необходимую энергию для образования стабильного радиационного дефекта (; 20 - 25 эВ) бомбардирующий электрон может передать атому в узле решетки лишь при условии, что его исходная энергия будет составлять по порядку величины несколько сотен килоэлектронвольт. Именно такие ( быстрые) электроны приводят к образованию пар Френкеля в обьеме кристалла. [28]

В технике испытаний под радиационными дефектами обычно понимают только необратимые нарушения. В зависимости от вида и энергии излучения процессы в МЭ и ИМ, приводящие к нарушениям, могут происходить по всему объему или только в поверхностном слое. В частности, нейтроны и гамма-кванты обладают высокой проникающей способностью, и поэтому вызываемые ими изменения, как правило, носят объемный характер. Естественно, они могут вызывать одновременно и по-верхностные эффекты. Альфа-частицы и осколки ядер вследствие малой длины их пробега в веществе воздействуют только на поверхность. [29]

Поскольку простейшие представления о радиационных дефектах решетки связываются с парами Френкеля, то при радиационном воздействии на кристалл частиц любой природы можно было бы ожидать качественно одинаковых эффектов. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5