Cтраница 4
При изучении спектров ЭПР и фотопроводимости показана [9-11] возможность образования простейших радиационных дефектов при низкотемпературном облучении. Облучение быстрыми электронами кремния при низких температурах приводит к появлению в спектрах фотопроводимости бесструктурной компоненты. Однако методом ЭПР [9, 10, 12] идентифицированы только спектры, связанные с изолированными вакансиями и установлены области их термической устойчивости. Оказалось, что в процессе миграции вакансии образуют комплексы со многими примесями замещения, взаимодействуют между собой с образованием дивакансий и, вероятно, более сложных ва-кансионных комплексов. [46]
![]() |
Схема энергетических уровней собственных междоузельных атомов в кремнии согласно модели Блаунта.| Модель сдвоенного междоузелъного Si-PG - центра. [47] |
Дальнейшее увеличение температуры приводит к переходу электронов на нижний уровень радиационных дефектов Еа, который, как видно из экспериментальных данных, полностью не заполняется. [48]
Облучение бериллия быстрыми частицами способствует образованию и накоплению в нем обычных радиационных дефектов, а также ядер гелия и трития в результате протекания ядерных реакций на атомах бериллия. При определенных параметрах облучения эти эффекты могут вызывать существенное изменение физико-механических свойств материала, основными из которых в практическом приложении являются плотность, теплопроводность, прочность и пластичность. [49]
Гамма-кванты, как и быстрые электроны, приводят к образованию радиационных дефектов точечного типа. [50]
Учитывая кристаллохимические особенности кварца, следовало ожидать, что набор радиационных дефектов непримесной природы сводится к следующим: вакансия кислорода, дивакан-сия кислородов, вакансия кремния, дивакансия кислород-кремния, междуузельный кислород, дефекты типа разорванных связей в результате смещения атомов. Дефекты типа междуузель-ного кремния не описывались и поэтому не обсуждаются. [51]
![]() |
Зависимость изменения размеров. [52] |
Важна способность графита накапливать энергию деформации в кристаллической решетке как следствие радиационных Дефектов. Накопленная энергия может проявить себя через выделение теплоты, сопровождающееся резким повышением температуры. [53]
Важна способность графита накапливать энергию деформации в кристаллической решетке как следствие радиационных дефектов. Накопленная энергия может проявить себя через выделение теплоты, сопровождающееся резким повышением температуры. [55]
![]() |
Зависимость выхода поли. [56] |
Возможно, что каталитическое действие твердых добавок имеет место благодаря образованию определенных радиационных дефектов на по-поверхности твердых веществ при облучении их в среде мономера. Участие подобных радиационных дефектов в стадии инициирования процесса находит некоторое подтверждение в обнаруженном нами факте прививки полимерных цепей к поверхности твердой добавки при жидкофазной радиационной полимеризации. Химическое связывание полимерных цепей выступает, очевидно, как крайний случай наиболее сильного взаимодействия мономера и твердой поверхности. [57]
При высоких плотностях возбуждения доминирующим процессом является захват электронов зоны проводимости нестабильными радиационными дефектами, возникающими в импульсе возбуждения. [58]
![]() |
Концентрационные профили напыленных пленок из никель-мар-ганецтитановой бронзы при разной скорости осаждения, нм / с. [59] |
Осложняющим эффектом может быть явление атомного перемешивания, когда первичные ионы генерируют радиационные дефекты и вызывают искажение концентрационного профиля в исследуемом материале. Этот эффект тем сильнее, чем выше энергия первичных ионов; при 10 кэВ эффект перемешивания практически не проявляется. [60]