Собственный дефект

Cтраница 1

Собственные дефекты, нарушающие состав и атомный порядок стенок НТ, в свою очередь, делят на три группы - топологические, дефекты регибридизации и дефекты ненасыщенных ( оборванных) связей. В первом случае подразумевают наличие в атомной сетке отличных от гексагонов многоугольников, наиболее распространенными среди которых являются пентагоны и гепта-гоны, изолированные либо составляющие различные сочетания. Введение в свернутую атомную сетку таких молекулярных дефектов может привести к возникновению положительной ( пентагоны) или отрицательной ( гептагоны) гауссовой кривизны цилиндра [144-151], а их объединение в парные дефекты ( пентагон-геп-тагон) открывает интересные возможности вариации кривизны и геликоидальности труб без существенного нарушения общей системы связи. [1]

Но собственные дефекты структуры устраняют ( в той степени, в какой это возможно) только у конечного материала. [2]

Концентрация собственных дефектов определяет совершенство получаемых кристаллов. Поэтому кристаллы некоторых веществ выращивают из пара даже в тех случаях, когда их нетрудно расплавить. Причины этого рассматриваются ниже. [3]

Зависимость между концентрацией дефектов и температурой в простом твердом веществе, М, находящемся в равновесии с паром, активность примесного элемента F в котором постоянна. Случай, когда вакансии и примесные атомы ассоциируют.| Схема энергетических уровней для кристалла простого вещества М, в котором имеются вакансии VM, обладающие акцепторными свойствами, и атомы примеси FJVJ, обладающие донорными свойствами. [4]

Наличие собственных дефектов ( Ум) влияет на растворимость примеси в кристалле из-за образования нейтральных ассоциатов. [5]

Концентрация собственных дефектов зависит также от плотности дислокаций ( см. гл. Наконец, важным средством создания дефектов в неравновесной концентрации является облучение кристаллов частицами и фотонами высоких энергий. [6]

К собственным дефектам относятся, прежде всего, структурные зернограничные дислокации ( СЗГД), существование которых в структуре ГЗ обусловлено малым отклонением разориентировок соседних зерен от специальной, обусловленной так называемой решеткой совпадающих узлов ( РСУ); вектора Бюргерса СЗГД определяется параметрами этой решетки. [7]

С собственными дефектами связывают также низкотемпературную зеленую люминесценцию CdS, называемую краевой, так как по положению в спектре она близка к краю фундаментальной полосы поглощения. У наиболее совершенных, медленно охлажденных кристаллов эта люминесценция отсутствует. Вместе с тем удаление примесей, создающих конкурирующие дефекты, способствует ее усилению. Следует отметить, что и в ряде других случаев собственные дефекты проявляют себя как центры свечения преимущественно при низких температурах. [8]

Влияют ли собственные дефекты на поведение примесных атомов, например на их растворимость и механизм внедрения. [9]

Обычно концентрации собственных дефектов не настолько велики, чтобы использовать указанные уточнения. Однако такие же проблемы возникают в связи с растворимостью примесных атомов в междоузлиях и, вероятно, при достижении некоторого уровня концентраций такая обработка становится необходимой. [10]

Важную роль играют собственные дефекты в кристаллической решетке СОдО, обусловленные каменными вакансиями или еверхсте-хиометрическиы кислородом, количество которого регулировалось температурным режимом приготовления пленок ( 300, 350, 400, 450 С), Количественное содержание избыточного кислорода влияет не только на сопротивление пленки, но и на кинетику анодных реакций. [11]

Важную роль играют собственные дефекты в кристаллической решетке Со30, обусловленные катиовными вакансиями или сверхсте-хиометрическиы кислородом, количество которого регулировалось температурным режимом приготовления пленок ( 300, 350, 400, 450 С), Количественное содержание избыточного кислорода влияет не только на сопротивление пленки, но и на кинетику анодных реакций. [12]

Важную роль играют собственные дефекты в кристаллической решетке СодО, обусловленные катионными вакансиями или еверхсте-хиометрическим кислородом, количество которого регулировалось температурным режимом приготовления пленок ( 300S 350, 400, 450 CJ, Количественное содержание избыточного кислорода влияет не только на сопротивление пленки, но и на кинетику анодных реакций. [13]

Важную роль играют собственные дефекты в кристаллической решетке CogO, обусловленные катионными вакансиями или сверхсте-хиометрическиы кислородом, количество которого регулировалось температурным режимом приготовления пленок ( 300, 350, 4 - 00, 450 С), Количественное содержание избыточного кислорода влияет не только на сопротивление пленки, но и на кинетику анодных реакций. [14]

Важную роль играют собственные дефекты в кристаллической решетке CogO, обусловленные катионными вакансиями или еверхсте-хиометрическим кислородом, количество которого регулировалось температурным режимом приготовления пленок ( 300, 350, 400, 450 С), Количественное содержание избыточного кислорода влияет не только на опротивление пленки, но и на кинетику анодных реакций. [15]

Страницы: 1 2 3 4