Собственный дефект

Cтраница 2

Часто селеновые пластины имеют собственные дефекты, которые должны оцениваться. Дефекты на полученной электрорентгенограмме определяются визуально, а при необходимости - проверкой размеров дефектов с помощью микроскопа. Средняя концентрация точек диаметром до 1 мм определяется подсчетом числа белых и черных точек на нескольких участках электрорентгенограммы и делением его на общую площадь этих участков. Для определения концентрации точек диаметром 1 - 4 мм подсчитывают их число на всей электрорентгенограмме. [16]

Рассмотрим общий случай равновесий собственных дефектов. Положение усложняется, если вакансии захватывают два электрона. [17]

Помимо положения энергетических уровней собственных дефектов, важную роль играет температура получения кристаллофосфо-ра. [18]

Квантовая диффузия - диффузия собственных дефектов ( типа вакансий или примесей), происходящая посредством квантового туннелирования дефекта из одного равновесного положения в другое. [19]

В то же время устранение собственных дефектов касается только конечного материала. [20]

Не только примеси, но и собственные дефекты кристаллической решетки могут создавать локальные состояния в запрещенной зоне. К числу собственных дефектов относятся наряду с нарушениями в строении кристаллической решетки ( пустые узлы, атомы в междоузлиях и т.п.) также возмущенные состояния собственных атомов. [21]

Не только примеси, но и собственные дефекты кристаллической решетки могут создавать локальные состояния в запрещенной зоне. [22]

В областях II и III концентрации собственных дефектов изменяются - концентрация Vpb увеличивается, a Vs уменьшается. Гораздо более определенным является противоположный эффект - влияние собственных дефектов на растворимость примеси. Некоторые особенности такого влияния видны уже из рис. XVI.1, откуда ясно, что растворимость примесного атома в заряженной форме резко изменяется в точке, где его концентрация становится больше концентрации преобладающих собственных дефектов. Дополнительные сведения дает расчет концентраций дефектов как функции ps2 ( или Рх2) ПРИ постоянной активности примесных атомов. [24]

Влияют ли примесные атомы на концентрацию собственных дефектов кристалла, и если да, то каким образом. [25]

Слева от этой точки благодаря преобладанию собственных дефектов VGa кристалл имеет проводимость р-типа. [26]

Полученные данные позволяют констатировать, что хотя собственные дефекты влияют на фотопреломление, их связь с эффектом ФП гораздо менее заметна по сравнению с действием, оказываемым атомами примеси. [27]

Влияние постоянной концентрации примесных доноров или акцепторов ( F на концентрацию собственных дефектов в германии. Сплошные линии и символы над прямой, не заключенные в круглые скобки, относятся к случаю, когда F донор. штрих-пунктирные линии и сплошные линии с расположенными над ними символами в круглых скобках относятся к случаю, когда F - акцептор. пунктирные линии обозначают концентрацию дефектов при отсутствии примеси ( и выше температуры плавления Т [. [28]

Заметим, что в области V концентрации собственных дефектов в кристаллах с примесью и без нее одинаковы. [29]

Таким образом, взаимодействие диффундирующих в монокристаллах собственных дефектов, типа дефектов Шотки, с примесными ионами существенно меняет картину диффузии. Точечные дефекты захватываются примесными ионами, образуя устойчивые центры. Примесь в этом процессе играет роль ловушек. [30]

Страницы: 1 2 3 4