Собственный дефект
Cтраница 3
Эксперименты, дающие непосредственные указания на перемещение собственных дефектов, описываются на отклонениях от стехиометрии. [31]
Известно, что центры, связанные с собственными дефектами, весьма чувствительны к условиям термообработки. По-видимому, различие в условиях выращивания под расплавом и без него приводит к изменению концентрации компенсирующих дефектов, и, следовательно, к изменению степени концентрации. В рамках предложенной модели не удается объяснить причину возрастания концентраций доноров и акцепторов к подложке. Вероятно, проведение серии специальных термообработок пленок арсенида галлия, выращенных методом жидкостной эпитаксии, поможет сделать однозначные выводы о природе наблюдаемых закономерностей. [32]
Наряду с влиянием ионизированных примесных дефектов на концентрацию собственных дефектов наблюдается обратный эффект. [33]
Изменение активностей компонентов может вызывать изменение как концентраций собственных дефектов, так и положения уровня Ферми. Если оба этих фактора действуют в одном направлении, то общий эффект, обусловленный изменением парциальных давлений компонентов, усиливается. В противоположном случае преобладающую роль играет более сильный фактор. Следует ожидать, что ситуация первого типа имеет место в системе GaAs - f - Si: изменение, приводящее к возникновению кристалла n - типа, способствует размещению кремния в таких положениях, где он действует как акцептор ( SiAS) - Вместе с тем изменение, сопровождающееся возникновением вакансий мышьяка и подавлением вакансий галлия, также будет благоприятствовать размещению кремния в узлах мышьяка. Поэтому оба эффекта должны усиливать друг друга. [34]
Эта картина может быть осложнена наличием в кристалле собственных дефектов, создающих локальные уровни в запрещенной зоне. Компенсация акцепторными вакансиями в таком случае приведет к параллельному сдвигу линейной части зависимости n0 / N, а в области очень малых концентраций, где пб становится сравнимым с концентрацией вакансий - к отклонению от прямолинейного хода. [36]
На основании имеющихся данных можно считать, что концентрации собственных дефектов при высокой температуре близки к равновесным, особенно в порошкообразных люминофорах ( см. гл. Однако в процессе охлаждения кристаллов диффузия дефектов быстро замедляется, и в охлажденном образце концентрация их всегда значительно выше той, которая отвечает комнатной температуре. Отсюда ясно, что она зависит от скорости охлаждения, изменяя которую можно проследить за влиянием собственных дефектов на люминесценцию и другие структурно-чувствительные свойства кристаллов. При этом, конечно, нужно учитывать и те связанные с примесями и интеркристаллическими реакциями явления, которые будут рассмотрены в последующих главах. [37]
Здесь речь идет о квазисоединениях, состав которых определяется зарядом собственных дефектов. [38]
С другой стороны, примеси могут влиять на зарядовое состояние собственных дефектов. Так, при обработке в парах серы ZnS, активированного металлом III группы, последний, являясь поставщиком электронов, способствует превращению VZn в VZn и появлению соответствующей полосы излучения. [39]
При температуре выше точки излома А электропроводность определяется в основном собственными дефектами - это область высокотемпературной, или собственной электропроводности. Ниже излома, в области низкотемпературной, шти примесной электропроводности, зависимость более пологая. [40]
В процессе термического окисления кремния в его приповерхностной области помимо генерации собственных дефектов ( типарй-центров) происходит существенное перераспределение примесных атомов. При термообработке примесные атомы фосфора диффундируют из объема кремния в его приповерхностную область, приводя к инверсии типа проводимости. [41]
В предыдущих работах было проведено вычисление лишь равновесных концентраций электронов и собственных дефектов при собственно дефектной и самокомпенсированной проводимости. Поскольку процессы установления равновесного состояния связаны с движением ионов, то следует определить, не окажется ли время установления равновесного состояния слишком большим, так что фактически на эксперименте будет наблюдаться неравновесное состояние. Рассмотрим этот вопрос на примере кристалла с донорной примесью, не имеющего при Г-v O никаких других дефектов. [42]
Приведенные наблюдения указывают, кроме того, на фотографически активное поведение собственных дефектов эмульсионных микрокристаллов в роли эффективных ловушек фотоэлектронов и мест локализации атомов серебра и образования центров скрытого изображения. [43]
 |
Зависимость свойств окиси цинка от продолжительности прогрева ее в парах радиоактивного цинка 65Zn. [44] |
Возможно, что центрами свечения являются группы WO4, связанные с собственными дефектами, о природе которых пока ничего неизвестно. [45]
Страницы: 1 2 3 4