Собственный дефект

Cтраница 4

В ходе дальнейшего изложения рассматриваются вопросы, касающиеся образования в твердых телах собственных дефектов разных типов и соотношений между их концентрациями. [46]

Халькогенидам цинка и кадмия присуща так называемая самоакти-впрованная люминесценция, обусловленная либо собственными дефектами, либо их ассоциатами с примесью галогенов или трехвалентных катионов, а также люминесценция, связанная с введением активирующих примесей. [47]

При температуре выше точки излома ( А) проводимость определяется в основном собственными дефектами. [48]

Увеличение пересыщения при выращивании кристаллов приводит к нарушениям кристаллической решетки, способствует образованию собственных дефектов и, следовательно, г-цсптров рекомбинации. В пользу этого говорит н тот факт, что из монокристаллов II типа при низких пересыщениях получаются кристаллы I тина с такими же физическими свойствами, а при оптимальных пересыщениях - кристаллы с наибольшей фоточувствителышстыо. Значительное увеличение избыточного висмута в кристалле приводит как к уменьшению числа вакансий Bi, так и к значительным па рушениям кристаллической решетки. [49]

Однако даже у простых веществ следует учитывать явления аллотропии и полиморфизма и наличие собственных дефектов в реальном кристалле, что позволяет выявить зависимость свойств простых веществ от их химического и кристал-лохимического строения. [50]

Если подобные явления наблюдаются, то они обусловлены взаимодействием между примесными атомами и собственными дефектами. При этом нужно различать два типа такого взаимодействия: образование ассоциатов примесных атомов и собственных дефектов, а также взаимодействие, связанное с изменением условия нейтральности системы. [51]

Помимо взаимодействия примесей с межкристаллическими границами существенную роль может играть их взаимодействие с собственными дефектами кристаллитов, концентрация которых весьма высока. [52]

Схематическое изображение температурной зависимости удельной проводимости кристаллического диэлектрика. [53]

Верхним пределом низких температур для данного соединения следует считать температуру, при которой концентрация собственных дефектов равна концентрации примесей. [54]

Локальный характер расположения примесных центров заставил предполагать, что они создаются преимущественно в местах собственных дефектов микрокристаллов [29], обладающих повышенной реакционной способностью. Впоследствии это положение было доказано в работе [30] в отношении вуалеобразования. Кроме того, из работы [31] следует, что простейшие ( начальные) центры могут возникать в стадии физического созревания. [55]

Страницы: 1 2 3 4