Дефектность - кристалл
Cтраница 1
 |
Зависимость величины [ IMAGE ] Влияние концентрации воды на. [1] |
Дефектность кристаллов может изменяться в ходе реакции, причем чем выше температура, тем большую гибкость приобретает кристаллическая решетка и тем легче примеси диффундируют из кристалла. [2]
Степень дефектности кристалла всегда значительна, и поэтому обычно остаточное сопротивление достигается при температурах в несколько градусов Кельвина и далее остается неизменным. Однако имеется примерно около десятка металлов, которые ведут себя совершенно своеобразно. При вполне определенных температурах, близких к абсолютному нулю, эти металлы полностью теряют свое электрическое сопротивление. [3]
Рассмотрены влияние дефектности кристалла на его свойства; физико-химические свойства получения дефектных кристаллов с заданными свойствами; явления переноса; влияние дефектов на кинетику твердофазных процессов. Даны представления о протяженных дефектах и их взаимодействии с точечными дефектами. [4]
Полимеризации способствует не дефектность кристалла, о которой говорилось в докладе, а поверхность кристаллов, поверхность раздела мономер - полимер. Поэтому вид уравнений и выводов никак не изменится, и останется двухстадийность процесса. [5]
 |
Зависимость плотности ямок травления от концентрации ЗСаО - Р2О5 в твердых растворах системы 2СаО - Si02 - ЗСаО-Р2О5. [6] |
Роль примесей в дефектности кристаллов, как показали исследования, не является прямолинейной и однозначной. [7]
При равной степени дефектности кристаллов прочнее из них оказываются те, у которых выше теоретическая прочность, обусловленная их химическим составом и строением кристаллической решетки. Поэтому во всех случаях наиболее прочными элементами кристаллической структуры цементного камня являются в первую очередь игольчатые кристаллы низкоосновных гидросиликатов кальция типа CSH. Увеличение их доли в твердеющей системе способствует упрочнению цементного камня. [8]
 |
Дефектность кристаллов бинарных смесей ускорителей. [9] |
Обращает на себя внимание сравнительно низкая дефектность кристаллов ТМТД, ДБТД и ДФГ, равная 0 30; 0 31 и 0 37 соответственно. В двух первых ускорителях, по-видимому, это обусловлено высоким порядком симметрии молекул и, благодаря этому, образованием в ТМТД и ДБТД более совершенных кристаллических структур. В ДФГ низкая степень дефектности кристаллов обусловлена интенсивными водородными связями между иминной и вторичными аминными группами. [10]
АНпл свидетельствует о возрастании дефектности кристаллов. Более низкие значения ДНпп термостатированных образцов по сравнению с АНщт механической смеси может быть обусловлено возникновением на полярной поверхности частиц оксида цинка сил, действующих в направлении, перпендикулярном к поверхности его кристаллов [273], которые ослабляют силы межмолекулярного взаимодействия в тройной системе с эвтектикой и снижают внутреннюю энергию. [11]
При повышении температуры степень дефектности кристаллов увеличивается и возрастает их электрическая проводимость. При плавлении ионных кристаллов количество неупорядоченных ионов ( из-за больших размахов их тепловых колебаний, изменения силы взаимодействия между ионами) возрастает по сравнению с твердым состоянием. [12]
При повышении температуры степень дефектности кристаллов увеличивается и возрастает их электрическая проводимость. При плавлении ионных кристаллов количество неупорядоченных ионов ( из-за больших размахов их тепловых колебаний, изменения силы взаимодействия между ионами) возрастает по сравнению с твердым состоянием. [13]
В целом сравнительный анализ дефектности кристаллов различного генезиса позволяет выявить довольно общую зависимость между концентрацией структурных несовершенств и скоростью кристаллизации алмаза. Указанная закономерность весьма четко проявляется в ряду алмазов, кристаллизованных в природных, статических и динамических условиях. [14]
В исходные условия входит фактор дефектности кристалла, который препятствует протеканию полимеризации. При этом вы рассматриваете те процессы полимеризации, для которых показано, что дефектность кристалла способствует полимеризации. [15]
Страницы: 1 2 3 4