Дефектность - кристалл
Cтраница 2
 |
Дефектность кристаллов бинарных смесей ускорителей. [16] |
Сопоставление величин АНпл и степени дефектности кристаллов образцов позволяет проследить обратную пропорциональность между ними. [17]
Согласно данным работ [244, 249], увеличение дефектности кристаллов в эвтектических смесях компонентов серных вулканизующих систем обусловлено следующими факторами. При этом поверхность кристалла, имеющего более высокую температуру плавления, является активной подкладкой, она стремится деформировать поверхность низкоплавкого кристалла в соответствии со своим рельефом. В результате в зоне контакта, наряду с возрастанием поверхностных и объемных дефектов, происходит сосредоточение избыточной свободной энергии, которая является причиной увеличения химической активности компонентов эвтектической смеси. [18]
 |
Зависимость выхода полимера от продолжительности полимеризации триоксана в твердой фазе. [19] |
Если это так, то увеличение дефектности кристалла должно приводить к уменьшению величины скачка и скорости полимеризации. [20]
Исследование ионной электропроводности представляет удобный метод исследования дефектности кристаллов галогенидов щелочных металлов, так как их электропроводность непосредственно зависит от присутствия дефектов в кристаллах. [21]
Изучение относительных интенсивностей рефлексов может быть осложнено эффектом анизотропных тепловых колебаний и дефектностью кристаллов, которые снижают интенсивности рефлексов в различной степени в зависимости от ориентации отражающих плоскостей; при определении положения атомов для лучшего совпадения наблюдаемой и расчетной интенсивностей необходимо иногда учитывать явление анизотропии. [22]
Термограммы исходного диафена ФП показали практически отсутствие влияния термической предыстории образца на степень дефектности кристаллов. [23]
В работе [59] эффект скачка в начальной стадии полимеризации практически не наблюдался из-за сильной дефектности кристаллов триоксана. [24]
Задачу разделения эффектов, связанных с малыми D, и эффектов, определяемых дефектностью кристаллов, нельзя считать решенной, хотя для выяснения кристаллической структуры полимеров она имеет первостепенное значение. [25]
Сделано предположение, что высокая исходная концентрация дырок в стехиометрических образцах связана с экспериментально найденной молекулярной дефектностью кристаллов. [26]
В низкотемпературной модификации молекулярные веса малы ( - 5000) и не зависят от дефектности кристалла. В высокотемпературной области полимеры имеют степень полимеризации 10 - 15 и при больших процентах превращения получаются нерастворимые полимеры. В этой кристаллической модификации при переходе к сильно дефектным кристаллам степень полимеризации падает в 2 - 3 раза. [27]
Некоторые возражения вызывают те части доклада, которые относятся к исследованиям влияния дисперсности и дефектности кристаллов на каталитическую активность. [28]
Особенно благоприятные условия для развития реакционной поверхности раздела возникают вблизи фазовых переходов, когда природа дефектности кристаллов носит ярко выраженный флуктуа-ционный характер. Этим и объясняются высокие скорости превращения в подобных системах. [29]
 |
Профили распределе. [30] |
Страницы: 1 2 3 4