Дефектность - кристалл
Cтраница 3
Из рисунка следует, что степень активности примеси уменьшается с увеличением дозы легирования, так как дефектность кристалла при этом возрастает. [31]
 |
Образование различных структур из пачек. а - дендриты. б - полосатая структура. [32] |
Часть звеньев может по той или иной причине не поворачиваться, чем, по-видимому, объясняется дефектность кристаллов полимеров. [33]
VII показано, что для температур ниже 500 и размера кристаллов, превышающего 20 А, дефектностью кристаллов можно практически пренебречь. Для более мелких микрокристаллов дефектностью поверхности пренебречь нельзя, но такие частицы почти полностью доступны для хемосорбции активных газов, а атомы в них даже в основном состояний имеют низкие координационные числа. Благодаря этому образование равновесного числа дефектов для слоев платины на SiOa также не сказывается заметно на приведенно м выше способе оценки строения частиц платины пб хемосорбционным данным. [34]
Прибавление серы к бинарным смесям ускорителей приводит к образованию тройной системы с эвтектикой с более высокой степенью дефектности кристаллов, обусловленной большими различиями в геометрической форме молекул серы Ss в виде искаженной короны [268] и ускорителей. Следует также отметить ослабление межмолекулярных сил в тройной системе с эвтектикой из-за отсутствия полярности молекул серы, тогда как полярные молекулы ускорителей в бинарных смесях характеризуются более интенсивным межмолекулярным взаимодействием, обеспечивающим системе низкую дефектность кристаллов. Разность полярностей молекул компонентов в тройных смесях и различие геометрических структур являются причинами образования двух фаз с выделением избытка серы в виде отдельной фазы в случае ДБТД-ТМТД-сера и МВТ-ТМТД-сера. [35]
Имеются также указания на то, что смещение атомов от их среднего положения за счет тепловых колебаний и дефектности кристалла происходит больше в направлении, перпендикулярном к слоям молекул, связанных водородными связями, чем в плоскости слоев. [36]
Вследствие ограниченной подвижности молекул добавок реакции роста цепи в твердой фазе доминируют над реакциями передачи; в тех случаях, когда дефектность кристаллов невелика, могут образовываться продукты с очень высокой мол. Ацетальдегид может полимеризоваться при кристаллизации ( - 123 5 С), причем процесс происходит на поверхности раздела твердой ( кристаллич. Катализатором является надуксусная к-та, образующаяся при облучении мономера Уф-светом в присутствии кислорода. Интересно отметить, что полимеризация кристаллич. В то же время инициирование ме-таллич. [37]
Вследствие ограниченной подвижности молекул добавок реакции роста цепи в твердой фазе доминируют над реакциями передачи; в тех случаях, когда дефектность кристаллов невелика, могут образовываться продукты с очень высокой мол. Ацетальдегид может полимеризоваться при кристаллизации ( - 123 5 С), причем процесс происходит на поверхности раздела твердой ( кристаллич. Катализатором является надуксусная к-та, образующаяся при облучении мономера Уф-светом в присутствии кислорода. Интересно отметить, что полимеризация кристаллич. В то же время инициирование ме-таллич. [38]
 |
Двойник с когерентной границей в кубической решетке. [39] |
На границах зерен, где происходит скопление дислокации и примесных атомов, образуются зародыши новых карбидных частиц, что также увеличивает степень дефектности кристалла. Кроме того, новые карбидные частицы являются барьером для движущейся дислокации. Эти процессы приводят к охруп-чиванию трубных сталей в этих локальных областях. [40]
Однако Э1И уравнения слкшком упрощают сложный процесс твердения, недостаточно отчетливо отличают макроструктуру от микроструктуры и не учитывают влияния предварительного напряжения срастания, дефектности кристаллов, дисперсности и расхода вяжущего вещества. [41]
Однако эти уравнения слишком упрощают сложный процесс твердения, недостаточно отчетливо отличают макроструктуру от микроструктуры и не учитывают влияния предварительного напряжения срастания, дефектности кристаллов, дисперсности и расхода вяжущего вещества. [42]
Однако Э Ш уравнения слишком упрощают сложный процесс твердения, недостаточно отчетливо отличают макроструктуру от микроструктуры и не учитывают влияния предварительного напряжения срастания, дефектности кристаллов, дисперсности и расхода вяжущего вещества. [43]
В низкотемпературной области ( от - 196 С до температуры фазового перехода) имеет место быстрая безактивационная реакция, на которую не влияют размеры и дефектность кристалла ГМЦТС. По-видимому, пространственная ориентация мономерных единиц в этой кристаллической форме весьма выгодна для реализации энергетической цепи. [44]
Возможность и эффективность физической модификации ингредиентов в первую очередь определяется следующими характеристиками компонентов бинарных и сложных смесей: структурой кристаллов и конфигурацией молекул ингредиентов; дефектностью кристаллов ингредиентов в эвтектических смесях; дисперсностью кристаллических частиц и температурой плавления ингредиентов. Ниже приводится более подробное описание этих характеристик. [45]
Страницы: 1 2 3 4