Cтраница 2
Источником примесей в получаемом кремнии являются цинк, тетра-хлорид кремния, материал реакционного пространства, уплотнения, газ-носитель. [16]
![]() |
Состав СНГ, производимых на нефтеочистительных заводах Европы. [17] |
Источником примесей прежде всего могут быть исходные природный газ и сырая нефть, которые способны уцелеть после всех наиболее эффективных процессов очистки, экономически приемлемых в настоящее время. Они могут попасть в СНГ при транспортировке последних от завода-производителя к потребителю в результате небрежного обращения. К этой группе примесей относят не только углеводороды, сернистые соединения и элементарную серу, но и нелетучие компоненты нефти, полимерные остатки, воду, галогены, аммиак и прочие загрязнители. [18]
Источником примеси могут являться также и химические соединения. Для некоторых приборов достаточно просто сплавить примесь с полупроводником и проводить диффузию из сплавлен-ньих участков. Однако сплавления нужно избегать, если переходы должны быть расположены близко от поверхности полупроводника или если над диффузионным слоем нужно создать еще один переход, так как приповерхностная область полупроводника оказывается сильно легированной. [19]
![]() |
Зависимость коэффи. [20] |
Источником примесей водорода, двуокиси углерода и воздуха являются некоторые побочные реакции в процессе электролиза, а также подсос воздуха в аппаратуру и трубопроводы при эвакуации хлора из электролизеров, которую ведут под разрежением. [21]
Источниками примесей металлов в красителях являются остатки катализатора, коррозия оборудования, вода, сырье, промежуточные продукты. [22]
![]() |
Установка для оса / кдонш. легированных окислов пиролитиче-скпм способом. [23] |
Черен источник примеси барботируется инертный газ-носитель. Концентрация легирующей примеси в газовой фазе легко регулируется изменением потока газа-носителя и температуры источника. [24]
![]() |
Влияние хлоридов магния ( 1 и кальция ( 2 на образование хлористого водорода. [25] |
К источникам приобретенных примесей относятся побочные прюдукты технологической обработки, вспомогательные материалы, примеси, перешедшие от оборудования и тары, воздуха, загрязненного пылью. [26]
Если источником примеси являются ее пары ( Ng), то диффузия осложняется процессами, протекающими на границе раздела твердой и парообразной фаз. Ввиду адсорбции и химических реакций могут образовываться промежуточные поверхностные фазы и решение диффузионного уравнения становится затруднительным или невозможным. Однако, во многих случаях поверхностная концентрация примеси в полупроводнике ( особенно, если она невелика) очень мало зависит от давления. [27]
Здесь отсутствуют источники примеси в объеме кассеты, поэтому аналог члена р ( х, у) уравнения ( 1) равен нулю. [28]
В качестве источников примеси можно использовать либо сильно легированные пластины того же полупроводника, либо пластины, изготовленные из веществ, содержащих легирующую примесь. [29]
В качестве источников примеси также применяют трехокись мышьяка Аз Оз и арсин AsH3 для диффузии As, четырехокись сурьмы SbstOi для диффузии Sb, GaO3 для диффузии галлия. [30]