Источник - примесь
Cтраница 4
Принцип диффузии из параллельного источника заключается в том, что источник диффундирующей примеси и пластины полупроводника располагаются параллельно друг другу, так что источник находится над пластинами, и между ними пропускается поток газа-носителя. Пары примеси диффундируют через газ, попадают на поверхность кремния и образуют там пленку жидкого стекла ( например BaCb-SiCb), из которого происходит диффузия в полупроводник. Если расстояние между источником и пластинами полупроводника выдерживается строго постоянным, то разброс поверхностного сопротивления может быть очень малым, что позволит получать структуру большой площади с достаточно малым разбросом параметров диффузионных слоев. [46]
Второе граничное условие может иметь два варианта в зависимости эттнпа источника примеси. Различают неограниченный и ограниченный источники. Рассмотрим оба варианта поочередно. [47]
Необходимо отметить, что при определенном подборе условий процесса и источника примеси можно осуществить процесс диффузии и в одну стадию, если это будет оправдано соответствующим улучшением свойств диффузионного слоя. [48]
Второе граничное условие может иметь два варианта в зависимости от типа источника примеси. Различают неограниченный и ограниченный источники. Рассмотрим оба варианта поочередно. [49]
Температура в печи должна - непрерывно повышаться в направлении от зоны источника примеси до кремниевых пластин. Такое распределение температуры предотвращает конденсирование испаряемого материала на стенках печи. Количество осажденного на кремниевых пластинах фосфора зависит экспоненциально от температуры источника и, кроме того, находится в зависимости от температуры кремниевых пластин и времени осаждения. [50]
Из уравнения атмосферной диффузии (2.2) следует, что при фиксированных параметрах источника сохраняющейся примеси изменение концентрации ее в атмосфере над сушей определяется турбулентным обменом и скоростью ветра. При прогнозе загрязнения воздуха основной интерес представляет определение ожидаемых концентраций у земной поверхности, в жизнедеятельном слое атмосферы. [51]
Наблюдаемое расхождение в результатах опыта и расчета объяснено особенонстями дыхательного клапана как источника примеси, который в действительности не является ни точечным, ни высотным. [52]
Зная оператор A ( t), легко определить и среднюю концентрацию, отвечающую различным типам источников примеси, встречающимся на практике. [53]
При высоких температурах скорость взаимодействия велика и на кремнии образуется пленка продуктов реакции, которая служит источником примеси во время диффузии. Если масса пленки достаточна, чтобы поверхностная концентрация примеси в кремнии была постоянной во время диффузии, то граничные условия уравнения (9.4) выполняются. [54]
Слой висмута в диодах серии А и слой кадмия в диодах серии Г служат не только источником необходимых примесей в селен, но и уменьшают переходные сопротивления между слоями селена и нижними электродами. [55]
 |
Распределение примесей в полупроводнике после диффузии из неограниченного ( а и ограниченного ( б источников. [56] |
Закон распределения примесей по глубине рассматривается для двух граничных условий, соответствующих диффузии из неограниченного и ограниченного источников примеси. [57]
 |
Изготовление сферического шлифа на р-п-переходе. [58] |
Преимущества печи ФК-12А-2 - высокая производительность, гибкость управления температурным режимом, малая тепловая инерционность, отсутствие источников неконтролируемых примесей. [59]
Уравнение было преобразовано для условий, при которых определяются только наземные концентрации и только на небольших расстояниях от источника примеси, расположенного на уровне земли или слегка приподнятого. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5