Источник - примесь
Cтраница 3
Задача идентификации источника примеси является одной из теоретически интересных и практически важных. Эта задача может быть поставлена следующим образом. [31]
 |
Зависимость скорости коррозии углеродистой стали в растворах МЭА от температуры и концентрации С02. [32] |
Еще одним источником примесей, накапливающихся в растворе МЭА и обусловливающих его потери, может быть вода, используемая для приготовления раствора и содержащая соли жесткости. [33]
Жидкость, служащая источником примеси, поддерживается при температуре, близкой к комнатной, что позволяет применять одпозошгую печь. Через источник примеси барботируется инертный газ-носитель. Концентрация легирующей цримеси в паровой фазе легко регулируется изменением потока газа-носителя и температуры источника. [34]
Выбор легирующей примеси и источника примеси производят с учетом ряда факторов. Примесь должна обеспечить требуемые электрофизические свойства полученного слоя полупроводника, предельная растворимость примеси в полупроводниковом материале должна превышать максимальную концентрацию заданного диффузионного профиля. Следует учитывать также коэффициент диффузии примеси в твердой фазе полупроводника. В большинстве случаев для обеспечения технологичности процесса желательно, чтобы коэффициент диффузии имел достаточно высокие значения. Иногда, например при формировании скрытых диффузионных слоев, требуются примеси с малым значением коэффициента диффузии. Важно учитывать также отношение атомных радиусов полупроводника и легирующей примеси, которое определяет механизм диффузии в кристаллической решетке и возникающие в ней напряжения. [35]
Величина q характеризует мощность источника примеси, подаваемой в первую секцию. [36]
В первом случае полупроводник и источник примеси ( элемент, сто сплав или соединение) обычно находятся при одинаковой температуре. [37]
Окисел на поверхности кремния становится легирующим источником примеси, диффундирующей в кремний. [38]
Диффузия из бесконечного ( постоянного) источника примеси происходит в полупроводниковую пластину, диаметр которой значительно больше ее толщины, на глубину, значительно меньшую толщины самой пластины. Под бесконечным ( или постоянным) источником понимают такое состояние системы, когда количество примеси, уходящей из поверхностного слоя полупроводника в его объем, равно количеству примеси, поступающей в поверхностный слой. [39]
 |
Схема подачи газа при использовании фосфина, арсина или диборана в качестве источника диффузанта. [40] |
Эмпирические кривые определяются для используемых в технологии источников примеси. [41]
В процессе создания транзистора слой 2 является источником примесей при формировании эмиттерной области л - типа. Тем самым обеспечивается самосовмещение эмиттерной области и контакта. Расстояние между эмиттером и базовым контактом очень мало ( меньше 0 5 мкм), так как оно определяется толщиной диоксида, выращенного на первом слое поликремния, и не зависит от разрешающей способности литографии и точности совмещения. Благодаря указанным особенностям структуры и технологии удается снизить сопротивление базы. Кроме того, вся коллекторная контактная область 3 дополнительно легирована донорами для уменьшения ее сопротивления. [42]
Для создания многослойных структур в ампуле помещают несколько источников примесей, обеспечивающих создание р - или га-прсводимости. Меняя их температуру, легко осуществить перенос вещества поочередно то от одного, то от другого источника. При изменении температуры характер легирования меняется не сразу, а через определенный промежуток времени - после накопления в паровой фазе легирующего элемента. [43]
Для разработки технологического процесса необходимо знать физико-химические свойства источника примеси, например гигроскопичность ( содержание влаги) при разных температурах. Так, при использовании РгО5, обладающего высокой гигроскопичностью, в процессе диффузии необходим контроль содержания влаги в реакционной системе, поскольку поверхностные слои фосфорного ангидрида, насыщенные влагой, препятствуют испарению источника. [44]
При наличии информации о параметрах выброса и режиме работы источников примеси наиболее эффективно использование численных методов прогноза загрязнения воздуха. В настоящее время развиваются модели численного прогноза, основанные на решении уравнения турбулентной диффузии, описывающего распространение примесей от отдельных и многих источников. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5