Колебание - решетка
Cтраница 1
Колебания решетки являются постоянным несовершенством ( см. гл. Носитель заряда может поглотить или излучить квант энергии колебания. [1]
Колебания решетки, согласно разделу 2, могут быть разложены на квантованные волны, или фононы. Взаимодействия между электронами и решеточными волнами можно рассматривать как индивидуальные процессы, ii которых электрон с волновым вектором k взаимодействует с фонолой с волновым вектором q и получается электрон с волновым вектором k, или наоборот. [2]
Колебания решетки характеризуются постоянными времени 10 - ч - Ю-12 с. Поэтому они также могут приводить к локализации носителей. [3]
Колебания решетки представляют собой неизбежный источник рассеяния, который при температурах вблизи комнатной может играть доминирующую роль. При таких температурах и концентрации электронов, лежащей в области Ns ( 0 5 - е - 5) 1012 см-2, подвижность ц ведет себя, как известно, по закону типа ц - - 0 1 / % - d - i - 5) и имеет величину 200 - ь 1000см2 В 1 с - в зависимости от кристаллографической ориентации поверхности. Такое поведение подвижности обсуждалось в § 2 данной главы и, как правило, обусловлено фононным рассеянием. В настоящем разделе будет дан обзор теории фононного рассеяния в инверсионном слое. [4]
Колебания решетки простого тетраэдр ического кристалла изучались в разд. [5]
Колебания решетки рассматриваются как фононный газ, подчиняющийся статистике Бозе - Эйнштейна. [6]
Колебания решетки халькогенида свинца имеют две ветви - оптическую и акустическую, поскольку это соединение ионное. Можно показать, что эти колебания имеют поперечную и продольную компоненты. Поперечная оптическая мода ( ГО-мода) эквивалентна электромагнитной волне, возбуждающей колебания с нулевым волновым числом. Равенство нулю волнового числа вытекает из закона сохранения импульса. [7]
Колебания решетки, согласно разделу 2, могут быть разложены на квантованные волны, или фононы. Взаимодействия между электронами и решеточными волнами можно рассматривать как индивидуальные процессы, в которых электрон с волновым вектором k взаимодействует с фононом с волновым вектором q и получается электрон с волновым вектором k, или наоборот. [8]
Колебания решетки цео лита могут переводить структуру. [9]
Амплитуды колебаний решетки меняются с температурой, поэтому роль ангармонических членов также зависит от температуры. Только при низких температурах, когда амплитуды колебаний становятся малыми, можно пренебречь ангармоническими членами и считать, что колебания атомов происходят в соответствии с рассмотренной выше простой схемой. [10]
 |
Фононные спектры для Si ( а и GaAs ( б. LO и ТО - продольные и поперечные оптические фононы, LA и ТА - продольные и поперечные акустические фононы. [11] |
Кроме колебаний решетки к кристаллическим несовершенствам относится неупорядоченное размещение атомов в кристалле, называемое дефектами решетки. Классификация этого вида дефектов показана в таблице 2.3. В настоящее время достигнуты большие успехи в получении бездефектных кристаллов кремния. Для БИС используются монокристаллы кремния, не имеющие винтовых дислокаций. Разрабатываются технологические операции, максимально уменьшающие введение дефектов при изготовлении приборов. Для СБИС и приборов с зарядовой связью ( ПЗС) большое значение имеет уменьшение поверхностных микродефектов, которые являются основной причиной брака. [12]
Спектр колебаний решетки может быть рассчитан ( по крайней мере принципиально) по уравнениям классической механики. [13]
Кванты колебаний решетки hVK иногда называют фононами по аналогии со световыми квантами - фотонами. [14]
Амплитуды колебаний решетки меняются с температурой, поэтому роль ангармонических членов также зависит от температуры. Только при низких температурах, когда амплитуды колебаний становятся малыми, можно пренебречь ангармоническими членами и считать, что колебания атомов происходят в соответствии с рассмотренной выше простой схемой. [15]
Страницы: 1 2 3 4