Cтраница 3
Если бы никаких колебаний решетки при низких температурах не было ( Е - О), как это, например, следует из теории Бора, то взаимодействие рентгеновских лучей с кристаллической решеткой, а следовательно, и рассеяние, не имело бы места. [31]
Поглощение света колебаниями решетки может привести к возрастанию концентрации носителей заряда лишь в результате вторичного эффекта - поглощение света увеличивает концентрацию фононов, которые отдают свою энергию на возбуждение носителей заряда. [32]
Поглощение света колебаниями решетки может привести к возрастанию концентрации носителей заряда лишь в результате вторичного эффекта - поглощение света увеличивает концентрацию фононов, которые отдают свою энергию на возбуждение носителей заряда. [33]
Дальнодействие описывается колебаниями решетки кристалла. В самом деле, существование длинноволновых колебаний решетки обусловлено синхронными колебаниями большой области кристалла, включающей 10й - 1012 молекул, по крайней мере ( гл. [34]
В § 3 колебания решетки квантуются. Этот метод подобен методу квантования электромагнитного излучения, приведенному в гл. Результаты также аналогичны: колебания ведут себя как набор гармонических осцилляторов, а соответствующая интерпретация состоит в том, что свойства различных мод можно описать с помощью дискретных квантов, называемых фононами. [35]
Современная квантовомеханическая теория колебаний решетки достаточно сложна и громоздка. Однако ее основные идеи и представления, необходимые для дальнейшего, можно выяснить на простых примерах. [36]
После этрго воздействие колебаний решетки на движение электронов в кристалле можно описать как столкновение частиц - электронов и фононов, или электрон-фононное взаимодействие. Ангармонизм колебаний решетки и взаимное влияние одного типа колебаний на другой ( ср. [37]
Обычно именно ангармонизм колебаний решетки, приводящий к распаду и слиянию фононов, определяет время жизни колебательных экситонов. В кристаллах, где такого рода экситоны наблюдались, ширины их уровней даже при очень низких температурах не бывают меньшими величин порядка 0 1 см 1, что отвечает времени жизни 10 - - 10 сек. В более сложных молекулах времена высвечивания, по-видимому, столь же велики, а времена безызлучательного распада колебательного экситона должны быть, благодаря богатству спектра внутримолекулярных колебаний, еще более короткими. Поэтому, вообще говоря, наблюдение люминесценции колебательных экситонов в настоящее время вряд ли доступно. Что же касается создания достаточно высокой их концентрации, то здесь небесперспективными представляются лишь такие попытки, в которых используются молекулярные кристаллы, состоящие из двухатомных молекул. Это требование обусловлено тем, что, по-видимому, только в такого рода молекулярных кристаллах, обладающих, к тому же, большими частотами внутримолекулярных колебаний 2 и низкими дебаевскими температурами 6, могут быть реализованы максимально возможные времена безызлучательного распада колебательных экситонов. В указанных случаях ( 2: 6) безызлучатель-ная гибель экситона связана с рождением большого числа фононов Np и должна быть относительно менее вероятна. [38]
Волновой вектор f колебаний решетки соответствует импульсу ( или квазиимпульсу) Ы фононов, который, естественно, не имеет ничего общего с импульсом структурного элемента и который может не подчиняться закону сохранения. Неподчинение fif закону сохранения импульса бывает обусловлено - тем, что величина результирующего вектора суммы волновых векторов t - - V I может выходить за пределы первой зоны Бриллюэна. [39]
Интеграл по частотам колебаний решетки вычисляется в пределах от нуля до частоты Дебая; при низких температурах, когда частоты вблизи верхнего предела не возбуждены, этот предел можно заменить бесконечностью. [40]
Гармоническое приближение для колебаний решетки означает, что мы пренебрегаем, по крайней мере в явндм виде, влиянием теплового расширения тела на его термодинамические свойства и ограничиваемся сравнительно низкими температурами, при которых амплитуда колебаний атомов в решетке значительно меньше кратчайших межатомных расстояний. Последнее приближение можно считать допустимым вплоть до температуры плавления кристалла, иногда его распространяют и на жидкое состояние вещества. [41]
Рассмотрим теперь взаимодействие колебаний решетки с электромагнитным полем. [42]
Исследования зависимости частот колебаний решетки Ge от гидростатического давления по характеристикам туннельных диодов, проведенные при Т - 1 3 К и Р до 18 000 кг см-2 показали, что частоты оптических колебаний смещаются с Р больше, чем акустических. [43]
Взаимодействие электронов с колебаниями решетки приводит, как было показано в § § 36 и 41, к прямому взаимодействию между электронами. [44]
Рассеяние электронов, колебаниями решетки сводится к двум основным процессам - испусканию и поглощению электроном фо-нона. [45]