Cтраница 4
Термический шум обусловлен колебаниями решетки кристалла и носителей тока под действием температуры. [46]
При рассеянии на колебаниях решетки зависимость т от k значительно более слабая. [47]
Основное поглощение на колебаниях решетки наблюдается при длине волны 54 мк. Небольшой провал при 28 3 мк на кривой пропускания обусловлен второй гармоникой колебаний. [48]
Некоторое поглощение на колебаниях решетки наблюдается также и в полупроводниках IV группы типа алмаза, хотя в этом случае все узлы решетки электрически эквивалентны. Но это уже слабый эффект второго порядка, и его не следует смешивать с основным поглощением на колебаниях решетки. При более высоких частотах наблюдается слабое поглощение, но оно обусловлено двухфононным процессом второго порядка. [49]
Поскольку теперь учитываются и колебания решетки, то Н более не является трансляционно инвариантным. Между тем, следует позаботиться, чтобы при сдвиге координат электрона координаты решетки преобразовывались таким образом, чтобы электроны видели те же деформации решетки. [50]
Локальные колебания - это колебания решетки, которые имеют большие амплитуды в небольшой, как правило, области вокруг возникшего дефекта, а в других областях решетки отсутствуют. Так, локальные колебания, обусловленные точечным дефектом, например вакансией, существуют только вокруг этой точки. В полимерах область существования локальных колебаний, вызванных наличием в цепи участков гош - или гранс-конформаций, а также складыванием цепи, может распространяться на целый сегмент цепи. Плоскостные дефекты вызывают возникновение соответствующих локальных колебаний, которые подобно поверхностным волнам ( волнам Релея) распространяются по поверхности дефекта решетки. Согласно теории континуума ( разд. [51]