Тепловое колебание - кристаллическая решетка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Ты слишком много волнуешься из-за работы. Брось! Тебе платят слишком мало для таких волнений. Законы Мерфи (еще...)

Тепловое колебание - кристаллическая решетка

Cтраница 1


Тепловые колебания кристаллической решетки влияют на состояние парамагнитной системы, вызывая переход частиц с одного уровня на другой.  [1]

2 Первая зона Бриллюэна кристалла с кубической гранецентрированной решеткой. [2]

Тепловые колебания кристаллической решетки представляют собой флуктуацион-ное движение атомов, представимое колебаниями с амплитудами и фазами, изменяющимися по случайному закону. Поэтому говорят, что тепловые колебания представлены некогерентными фононами. Звуковую волну, распространяющуюся в твердом теле, можно представить группой фононов, имеющих мало отличающиеся частоты. Такую группу называют волновым пакетом, а образующие его фононы - звуковыми или когерентными фононами.  [3]

Обычно тепловым колебаниям кристаллической решетки, которые квантуются, сопоставляют движение квазичастиц-фоно-нов.  [4]

Рассматривая порознь тепловые колебания кристаллической решетки и движения обобществленных кристаллом электронов, удается корректно описать энергетические состояния твердого тела. Однако при этом из рассмотрения выпадают ряд важных эффектов, обусловленных взаимодействием электронов и фононов. Это взаимодействие проявляется в поглощении или испускании электроном фонона ( поглощение приводит, в частности, к затуханию в кристаллах звуковых волн); в рассеянии электрона на фононе, что следует рассматривать как один из основных физических механизмов возникновения электрического сопротивления в кристалле; в обмене фононами, происходящем между парой электронов, что приводит к взаимному притяжению электронов и обусловливает эффект сверхпроводимости.  [5]

С тепловыми колебаниями кристаллической решетки связаны нормальные волны. Фактически к ним относятся и звуковые волны.  [6]

7 Схема уровней потенциальной энергии. р для катионов вдоль произвольного направления / в кристалле при ГОК.| Схема уровней потенциальной энергии для катионов вдоль произвольного направления в кристалле при ГОЮ. [7]

Под влиянием тепловых колебаний кристаллической решетки происходят и обратные перескоки катионов из межузлий в узлы и поскольку эти точечные дефекты имеют энергию, примерно на порядок превышающую энергию тепловых колебаний решетки, их равновесная концентрация невелика. Такой пересыщенный твердый раствор точечных дефектов может распадаться, причем вакансии конденсируются ( объединяются) в диски ( рис. 4.10), которые по достижении критических размеров, из-за взаимного притяжения атомных плоскостей, схлопываются, внося искажения в решетку кристалла.  [8]

Средняя энергия тепловых колебаний кристаллической решетки равна kT, но благодаря флуктуациям электрон может получить от решетки и большую энергию.  [9]

10 Температурная зависимость c [ 3R. Температура, указанная на оси абсцисс, нормализована относительно температуры Де-бая. [10]

Составляющая аТ отражает тепловые колебания кристаллической решетки. Составляющую pi называют остаточным сопротивлением. Величина ее определяется экстраполированием графика прямой, выраженной формулой ( 5 - 4 - 1), до О К. Значение остаточного сопротивления в основном зависит от количества и химических свойств примесей. Чистые металлы характеризуются малым остаточным сопротивлением. Выражение ( 5 - 4 - 1) называют правилом Маттиссена.  [11]

При повышении температуры растет интенсивность тепловых колебаний кристаллической решетки; в результате ионизации атомов полупроводника дополнительно к имеющимся образуются пары электрон - дырка, число которых экспоненциально увеличивается с температурой.  [12]

Небольшая фотопроводимость при hvEg наблюдается вследствие тепловых колебаний кристаллической решетки, которые обусловливают флуктуации энергии электронов и ширины запрещенной зоны. Хотя с ростом hvEg фотопроводимость согласно (2.10) должна увеличиваться, практически она имеет максимум, а затем уменьшается. Причина этого заключается в уменьшении эффективного времени жизни с ростом коэффициента поглощения.  [13]

Взаимодействие спиновых волн ( магнонов) с тепловыми колебаниями кристаллической решетки ( фононов) приводит к некоторому статистическому распределению спиновых волн с различными волновыми числами и направлениями. Амплитуды волн, возбуждаемых тепловым движением, очень малы. Непосредственное взаимодействие прецессии намагниченности с кристаллической решеткой сводится к элементарным процессам, при которых происходит уничтожение магнона с очень малым волновым числом и возникновение фонона. Однако вероятность этих процессов очень мала. Определяющую роль в передаче энергии спиновыми волнами играет двухступенчатый процесс, когда вначале происходит уничтожение магнона с fe 0 и возникновение магнона с k 0, а потом - уничтожение магнона с k; 0 и образование фонона. Расчет этого механизма потерь приводит к времени релаксации порядка 10 - 3 сек, что соответствует экспериментальным результатам для монокристаллов ферритов со структурой типа шпинели.  [14]

15 Схема разрешенных уровней энергии электрона в отдельном атоме ( а и разрешенных зон в твердом теле ( б.| Схемы взаимного расположения валентной зоны и зоны проводимости у проводников ( а и полупроводников ( б. [15]



Страницы:      1    2    3    4    5