Тепловое колебание - кристаллическая решетка
Cтраница 2
Небольшая ширина запрещенной зоны приводит к тому, что тепловые колебания кристаллической решетки полупроводника систематически сообщают некоторой части электронов энергию, достаточную для их перехода из валентной зоны в зону проводимости. [16]
 |
Удельное сопротивление металла при очень низких температурах ( а и его зависимость от концентрации примеси в меди при низкой температуре ( б. [17] |
Подвижность электронов при комнатной температуре ограничивается в первую очередь тепловыми колебаниями кристаллической решетки, которые определяют рассеяние электронов и среднюю величину их свободного пробега в электрическом поле. При очень низких температурах, однако, колебания решетки не сказываются на электропроводности; можно ожидать, что при 0 К они прекратятся и электропроводность не содержащего примесей идеального кристалла станет бесконечной. [18]
Отдельные электроны могут оказаться под суммарным воздействием энергии фотонов и энергии тепловых колебаний кристаллической решетки. Тогда эти электроны перейдут в возбужденное состояние. [19]
Отдельные электроны могут оказаться под суммарным воздействием энергии фотонов и энергии тепловых колебаний кристаллической решетки. Тогда эти электроны перейдут в зону проводимости. [21]
 |
Влияние температуры на степень дейтерирования кристаллических областей целлюлозы жидкой D2O. [22] |
Скорость реакции определяется скоростью диффузии молекул D2O к ОН-группам, обусловленной хаотическими тепловыми колебаниями кристаллической решетки. За практически доступное время нельзя продентерировать все ОН-группы в кристаллических областях, что соответствует наличию областей с очень высокой степенью упорядоченности. Так, например, установлено, что для пленки регенерированной целлюлозы оно составляет 61 % при 25 С и 68 % при 90 С, а для пленки из бактериальной целлюлозы-13 % при 25 С и 21 % при 90 С. [23]
Ко вторичному излучению относится и рентгеновское излучение, неупруго рассеянное на тепловых колебаниях кристаллической решетки. В некоторых случаях при облучении кристалла рентгеновским излучением наблюдается люминесцентное излучение. [24]
Величина подвижности носителей заряда в полупроводнике определяется процессами рассеяния носителей на тепловых колебаниях кристаллической решетки ( тепловых фононах), на ионизированных и нейтральных атомах примеси и на дислокациях, на подвижных основных носителях заряда. [25]
Заметим, что повышение энергии темновых электронов происходит за счет поглощения энергии тепловых колебаний кристаллической решетки. [26]
Однако значительная часть процессов рекомбинации заканчивается выделением энергии в виде элементарных квантов тепловых колебаний кристаллической решетки - ф нонов - Такие переходы электронов между энергетическими уровнями называют безызлучательными. Соотношение между излучательными и безызлучательными переходами зависит от ряда причин, в частности от структуры энергетических зон полупроводника, наличия в кристалле примесей с большой эффективностью безызлучательных захватов электронов и дырок. В светодиодах на основе других полупроводниковых материалов внутренний квантовый выход значительно ниже ( иногда составляет единицы процентов), но и при таких значениях внутреннего квантового выхода излучение светодиода оказывается достаточным для практического использования. [27]
 |
Зависимость удельного сопротивления р, коэффициента Холла RH и подвижности электронов ця от температуры для Cd3As2. [28] |
Т-3; это означает, что рассеяние электронов осуществляется главным образом на тепловых колебаниях кристаллической решетки. [29]
 |
Типичные зависимости проводимости полупроводника от температуры при различных содержаниях примеси. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5