Тепловое колебание - кристаллическая решетка
Cтраница 3
Если неравновесные носители возбуждены в какой-то одной части объема полупроводника, то благодаря тепловым колебаниям кристаллической решетки они начинают хаотически перемещаться во всех направлениях. При этом наблюдается тенденция к выравниванию концентрации носителей каждого знака во всем объеме полупроводника. Такое самопроизвольное перемещение неравновесных носителей из области, где их концентрация велика, в область с пониженной концентрацией называется диффузией. [31]
Тепловой пробой р-и-перехода происходит вследствие вырывания валентных электронов из связей в атомах при тепловых колебаниях кристаллической решетки. Тепловая генерация пар электрон - дырка приводит к увеличению концентрации неосновных носителей заряда и росту обратного тока. Увеличение тока сопровождается дальнейшим повышением температуры. Процесс нарастает лавинообразно, происходит изменение структуры кристалла и переход необратимо выходит из строя. Если же при возникновении пробоя ток через - - переход ограничен сопротивлением внешней цепи и мощность, выделяемая на переходе, невелика, то пробой обратим. [32]
Тепловой пробой р-п перехода происходит вследствие вырывания валентных электронов из связей в атомах при тепловых колебаниях кристаллической решетки. Тепловая генерация пар электрон - г - дырка приводит к увеличению концентрации неосновных носителей заряда и к росту обратного тока. Увеличение тока, в свою очередь, приводит к дальнейшему повышению температуры. [33]
 |
Зависимость удельного сопротивления р, коэффициента Холла RH и подвижности электронов ця от температуры для Cd3As2. [34] |
Т-3 / 2; это означает, что рассеяние электронов осуществляется главным образом на тепловых колебаниях кристаллической решетки. [35]
Тепловой пробой - - перехода происходит вследствие вырывания валентных электронов из связей в атомах при тепловых колебаниях кристаллической решетки. Тепловая генерация пар электрон - дырка приводит к увеличению концентрации неосновных носителей заряда и росту обратного тока. Увеличение тока сопровождается дальнейшим повышением температуры. Процесс нарастает лавинообразно, происходит изменение структуры кристалла и переход необратимо выходит из строя. Если же при возникновении пробоя ток через р-и-переход ограничен сопротивлением внешней цепи и мощность, выделяемая на переходе, невелика, то пробой обратим. [36]
В § 13.1 мы говорили о том, что электрическое сопротивление металлических проводников обусловлено рассеянием электронов на тепловых колебаниях кристаллической решетки. Эти колебания эквивалентны распространению в кристалле звуковых волн, которые, как показывается в квантовой механике, можно заменить еовокупно-стью частиц - фононов, движущихся в кристалле со скоростью звука. Фононы обладают энергией ftv, где h - постоянная Планка и v - частота колебаний узлов решетки, а также импульсом ( количеством движения), численно равным / iv /, где и - скорость звука. Таким образом, электрическое сопротивление кристаллических проводников является результатом рассеяния электронов проводимоати на фононах. [37]
При температурах ниже температуры кристаллизации Т Тт вместо ( ei) - рассеяния происходит рассеяние электронов на тепловых колебаниях кристаллической решетки - фононах. [38]
 |
Стоячая спиновая волна, образованная цепочкой магнитных диполей, прецесснрующих с различной амплитудой. [39] |
Наконец, даже в образце из идеального кристалла с идеальной поверхностью синхронность движения спиновых магнитных моментов нарушается из-за тепловых колебаний кристаллической решетки. [40]
 |
Лавинный транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером. [41] |
Электрон, попавший в этот переход, больше приобретает энергии от поля, чем теряет ее за счет возбуждения тепловых колебаний кристаллической решетки. [42]
В некоторых случаях наблюдается не противоречащее закону сохранения энергии нарушение правила Стокса ( анти-стоксова люминесценция), связанное с участием тепловых колебаний кристаллической решетки в возбуждении люминесценции. Поэтому в настоящее время правило Стокса применяется в форме закона Стокса - Ломмеля, учитывающего случай антистоксовой люминесценции: максимум спектра люминесценции по сравнению с максимумом спектра возбуждения всегда сдвинут в сторону длинных волн. [43]
Эти состояния недолговечны, и в результате безызлучательных переходов частицы быстро переходят в состояния Е2 и Е2, рассеивая свою энергию на тепловых колебаниях кристаллической решетки. Вероятность переходов E3 - Ei и Е - Е очень мала. [44]
Следует оговориться, что при движении электрона в твердом теле путь, который он может пройти в обычных условиях без столкновения с дефектами или тепловыми колебаниями кристаллической решетки, очень мал. При не чрезмерно сильных полях энергия, которую может приобрести электрон на этом пути, очень мала, что соответствует переходу только на близколежащий энергетический уровень. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5