Тепловое колебание - кристаллическая решетка
Cтраница 4
Диффузия носителей заряда ( в полупроводнике) - движениеэлек-тронов и дырок из области, где их концентрация повышена по какой-либо причине, в области с пониженной их концентрацией, происходящее под действием тепловых колебаний кристаллической решетки в отсутствии электрического поля. [46]
Диффузия носителей заряда ( в полупроводнике) - движение электронов и дырок из области, где их концентрация повышена по какой-либо причине, в область с пониженной их концентрацией, происходящее под действием тепловых колебаний кристаллической решетки в отсутствии электрического поля. [47]
Диффузия носителей заряда ( в полупроводнике) - движение электронов и дырок из области, где их концентрация повышена по какой-либо причине, в область с пониженной их концентрацией, происходящее под действием тепловых колебаний кристаллической решетки при отсутствии электрического поля. [48]
Ответ на этот вопрос был получен лишь в 1937 г. Методами квантовой механики было показано, что электроны, энергия которых заключена в тонком слое, примыкающем к поверхности Ферми, благодаря взаимодействию с тепловыми колебаниями кристаллической решетки способны спариваться. Оказалось, что при низких температурах энергетически выгодным становится такое положение дел, при котором объединяются два электрона с равными и противоположными по направлению спинами. Следовательно, образующиеся пары нельзя представить себе как своеобразные молекулы; связь осуществляется на большом расстоянии с помощью тепловых волн. [49]
Ответ на этот вопрос был получен лишь в 1937 г. Методами квантовой механики было показано, что электроны, энергия которых заключена в тонком слое, примыкающем к поверхности Ферми, благодаря взаимодействию с тепловыми колебаниями кристаллической решетки способны спариваться. Оказалось, что при низких температурах энергетически выгодным становится такое положение дел, при котором объединяются два электрона с равными и противоположными по направлению спинами. Следовательно, образующиеся пары нельзя представить себе как своеобразные молекулы; связь осуществляется на большом расстоянии с помощью тепловых волн. [50]
 |
Зависимость подвижности. [51] |
По мере повышения температуры рассеяние на ионах примеси уменьшается. Однако тепловые колебания кристаллической решетки при этом увеличиваются. Возрастает, очевидно, и роль их в механизме рассеяния свободных носителей. [52]
Eg объясняется тепловыми колебаниями кристаллической решетки, которые определяют флуктуации энергии электронов и значения Eg. С увеличением энергии фотонов фотопроводимость быстро достигает максимума, а затем начинает уменьшаться. Этот спад объясняется малыми временами жизни носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника, где преимущественно поглощаются фотоны с энергией hv Eg. Скорость рекомбинации здесь велика за счет поверхностной рекомбинации и большой концентрации носителей. Кроме того, у поверхности мала эффективная подвижность носителей заряда, так как движению их препятствуют многочисленные дефекты. На поверхности и вблизи нее на перенос носителей влияют не только центры захвата, связанные с нарушением периодичности кристаллической решетки полупроводника, но и ои-ласть пространственного заряда, который обусловлен поверхностными состояниями. Когда на полупроводник падает немонохроматическое излучение с известной спектральной плотностью, скорость генерации носителей для всего спектра получается суммированием функций генерации всех спектральных интервалов. [53]
При температуре О К все ковалентные связи заполнены электронами, свободных электронов в веществе нет и поэтому полупроводник ведет себя как диэлектрик. При повышении температуры тепловые колебания кристаллической решетки передаются валентным электронам, некоторые из которых, покидая свои ковалентные орбиты, становятся свободными. [54]
В парамагнитных веществах учитывают спин-решеточную и спин-спиновую релаксацию. Спин-решеточная релаксация связана с влиянием тепловых колебаний кристаллической решетки на ориентацию спиновых моментов. В этом процессе происходит безызлучательный обмен энергией между кристаллической решеткой и системой спиновых моментов. Так как в квантовых системах необходимо возможно дольше сохранять неравновесное состояние, то и время 7 должно быть большим. В парамагнитных веществах диапазон значений 7 велик ( от долей миллисекунды до нескольких секунд) и, кроме того, зависит от температуры. Увеличение Т2 достигается снижением концентрации парамагнитных ионов. Этот метод увеличения Т2 называют методом магнитного разбавления. [55]
Атомы твердых тел совершают сложные тепловые колебания около положений равновесия, непосредственное количественное описание которых представляет значительные трудности. Поэтому прибегают к следующему методу рассмотрения тепловых колебаний кристаллической решетки. [56]
Дырки в таком полупроводнике являются основными носителями заряда. C), Она уменьшается с увеличением тепловых колебаний кристаллической решетки, количества примесей, дефектов кристаллической решетки к концентрации носителей заряда. [57]
 |
Схема полупроводникового. [58] |
Таким образом, немедленно после прохождения заряженной частицы или взаимодействия кванта высокой энергии с кристаллом полупроводника в последнем возникает более или менее плотное облачко ионизации, внутри которого состояние горячих носителей ( см. гл. Процесс генерации занимает время, не превышающее несколько периодов тепловых колебаний кристаллической решетки - всего около 10 - 1а с. [59]
Оба этих эффекта объяснил Сул [17], построивший приближенную теорию, основанную на предположении о нестабильности ферромагнитного резонанса, связанной с параметрическим возбуждением спиновых волн. По Сулу, спиновые волны, всегда присутствующие в ферромагнетике из-за тепловых колебаний кристаллической решетки и рассеяния однородной прецессии на объемных и поверхностных неоднородностях, связаны во втором и высших приближениях с однородной прецессией через размагничивающие поля и, в меньшей степени, через обменные поля. При малых высокочастотных сигналах эта связь проявляется слабо, поэтому все спиновые волны и однородную прецессию - можно рассматривать изолированно друг от друга. Однако при больших сигналах связь становится существенной и приводит к возрастанию амплитуды спиновых волн за счет энергии однородной прецессии. Возрастание амплитуды спиновых волн задерживается из-за передачи энергии этих волн в решетку. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5