Концентрация - дырка
Cтраница 1
Концентрация дырок нарастает от нуля до установившегося значения р 0; тр определяет скорость нарастания. [1]
Концентрация дырок уменьшается при удалении от коллекторного перехода из-за рекомбинации. Основная часть дырок, диффундирующих через п-об-ласть коллектора, не проникает в сильнолегированную п - подлож-ку, так как на границе между п - и п - областями для них существует тормозящее поле. Поэтому концентрация дырок в гс - подложке мала. [2]
 |
Примесные уровни в полупроводнике. ff - дно зоны проводимости.. - вершина валентной зоны.. 0, . л - энергии связи доноров и акцепторов. & F - уровень Ферми. [3] |
Концентрация дырок в этом случае пренебрежительно мала по сравнению с концентрацией электронов. [4]
Концентрация дырок р0 соответствует плотности дырок в плоскости д: 0 ( рис. 4.1), представляющей границу обедненного слоя со стороны n - области р - n - перехода. [5]
Концентрация дырок в примесном полупроводнике типа р значительно больше концентрации электронов. [6]
Концентрация дырок в р-области ( основных носителей) намного выше, чем в га-области, поэтому дырки вследствие диффузии переходят в га-область, стремясь выровнять концентрацию во всем объеме полупроводника. [7]
Концентрация дырок в контактном слое полупроводника за счет рекомбинации с электронами, приходящими из металла, оказывается много меньше, чем в глубине полупроводника. Этот слой, обедненный носителями заряда ( дырками), и называют запирающим. [8]
 |
Зависимость концентрации атомов. [9] |
Концентрация дырок заметно ниже, чем общая концентрация атомов Ge, особенно при высоких уровнях легирования, из-за образования донорных и комплексных центров. [10]
Концентрация дырок вблизи перехода становится сравнимой с концентрацией электронов. [11]
Концентрация дырок в базе около р-гс-перехода мгновенно измениться не может. Поэтому напряжение на р-и-переходе и соответственно на диоде после выключения тока уменьшается замедленно по мере рекомбинации неравновесных носителей в базе. Остаточное напряжение на диоде уменьшится до нуля после рекомбинации всех неравновесных носителей в базовой области диода. [12]
Концентрация дырок в базе около р-л-перехода мгновенно измениться не может. [14]
 |
Зонная структура примесного полупроводника. а - п-тила. б - р-типа. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5