Концентрация - дырка
Cтраница 2
Концентрация дырок в валентной зоне может быть резко увеличена путем добавления в полупроводник акцепторов - трехвалентных атомов алюминия, индия или галлия. В этом случае дополнительные электроны проводимости также не возникают, и количество дырок преобладает над числом электронов. Полупроводники такого рода называются полупроводниками р-типа проводимости. [16]
Концентрация дырок зависит от состояния жидкости. Она растет, когда состояние жидкости приближается к окрестности критической точки равновесия жидкость-пар. [17]
Концентрация дырок в валентной зоне п равна концентрации электронов п в проводящей зоне. [18]
Концентрация дырок в эмитторе должна быть в десятки раз больше концентрации электронов в базе. [19]
 |
Зависимость от времени напряжения на диоде ( а. [20] |
Концентрация дырок в базе около р-и-перехода мгновенно измениться не может. Поэтому напряжение на p - n - переходе и соответственно на диоде после выключения тока уменьшается замедленно по мере рекомбинации неравновесных носителей в базе. Остаточное напряжение на диоде уменьшится до нуля после рекомбинации всех неравновесных носителей заряда в базовой области диода. [21]
Концентрация дырок в валентной зоне определяется аналогичным образом. [22]
Концентрация дырок была принята одинаковой вдоль всего образца. [23]
Концентрация дырок около коллектора практически равна нулю, поскольку все дырки, дошедшие до коллекторного перехода, захватываются полем и переходят в область коллектора. [24]
 |
Основные свойства серого селена и теллура. [25] |
Концентрация дырок слабо уменьшается с ростом температуры, в то время как их подвижность растет. [26]
Концентрация дырок в реальных кристаллах остается вплоть до температуры плавления чрезвычайно малой, того же порядка величины, что и концентрация атомов в насыщенном паре этого кристалла ( если энергия дыркообразования равна энергии испарения, ср. Этот факт гвряд ли может быть согласован со схемой Бреслера. [27]
Концентрация дырок в полупроводнике тг-типа при низких температурах столь мала, что ею можно пренебречь, а поэтому интерес представляет только коэффициент рекомбинации возбужденных электронов с донорами. [28]
Концентрация дырок вблизи перехода становится сравнимой с концентрацией электронов. В связи с этим на участке протяженностью порядка диффузионной длины заметную роль начинает играть дрейфовая составляющая дырочного тока. [29]
Концентрация дырок в базе на пути движения от эмиттерного перехода к коллекторному изменяется по длинен базы, что вызывает расширение области объемного заряда в глубь области базы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5