Cтраница 5
Изменение концентраций дырок и электронов в области пространственного заряда, однозначно определяющее величину ф8, приводит к изменению проводимости приповерхностного слоя. Так, у поверхности полупроводника n - типа при ф80 скапливаются электроны ( обогащенный слой) и проводимость образца увеличивается. Одновременно в приповерхностном слое растет концентрация дырок. При этом изгиб зон оказывается столь большим, что валентная зона становится ближе к уровню Ферми, чем зона проводимости. [61]
Изменение концентрации дырок в зависимости от величины напряжения на переходе сопровождается таким же изменением концентрации электронов. Следовательно, при изменении напряжения на переходе во внешней цепи появится емкостная составляющая тока, обусловленная изменением величины заряда подвижных носителей, запасенных в полупроводнике вне области обедненного слоя. Эта составляющая на эквивалентной схеме соответствует протеканию тока через диффузионную емкость. [62]