Концентрация - дырка
Cтраница 3
Концентрация дырок в реальных кристаллах остается вплоть до температуры плавления чрезвычайно малой, того же порядка величины, что и концентрация атомов в насыщенном паре этого кристалла ( если энергия дыркообразования равна энергии испарения, ср. Этот факт гвряд ли может быть согласован со схемой Бреслера. [31]
Концентрация дырок в базе около p - n - перехода мгновенно измениться не может. Поэтому напряжение на р-ге-переходе и соответственно на диоде после выключения тока уменьшается замедленно по мере рекомбинации неравновесных носителей в базе. Остаточное напряжение на диоде уменьшится до нуля после рекомбинации всех неравновесных носителей заряда в базовой области диода. [33]
Поскольку концентрация дырок в полупроводнике р-типа много больше, чем в полупроводнике / г-типа, и, напротив, в полупроводнике - типа высока концентрация электронов, то на границе раздела полупроводников различной электропроводности создается перепад ( градиент) концентрации дырок и электронов. Это вызывает диффузионное перемещение дырок из р-области в re - область и электронов в противоположном направлении. [34]
Для концентрации дырок в валентной зоне справедливы аналогичные рассуждения. [35]
Когда концентрация дырок достаточно велика, структурные силы преодолеваются и происходит разрушение кристалла. С другой стороны, лавина дырок может быть образована непосредственно с анода путем эмиссии дырок, в то время как такой же заряд противоположного знака вносится в кристалл с катода. Различия в фигурах пробоя могут быть обусловлены особенностями развития электронных и дырочных лавин в этих двух случаях. [36]
 |
Зависимость 1 / Гп от Е. [37] |
Если концентрация дырок р ( Е, t) не зависит от поля и температуры, то lg a ( E, t) const lg ( j ( E, t) и в двойном логарифмическом масштабе значения а и ц, для одинаковых Е и t должны ложиться на одну прямую, идущую под углом 45 по отношению к осям координат. Действительно, как видно из рис. 26, в, значения о и ц, рассчитанные из независимых измерений / и Т для трех произвольных значений Е при каждой температуре, укладываются на одну прямую и лишь при 110 С точки не совпадают с прямой. По-видимому, в этой области температур начинает сказываться термическое освобождение носителей. Правда, и здесь концентрация носителей не изменяется с изменением приложенного поля. Это следует из неизменности угла наклона зависимости Iga - Igti. [38]
Понижается концентрация дырок и около коллекторного перехода, при этом снижается положительное смещение на коллекторном переходе. [39]
 |
Распределение шаются на этом этапе по одному и тому же неосновных носителей в базе 3. [40] |
Когда концентрация дырок у эмиттерного перехода упадет до равновесного значения ( рис. 14 - 18, кривая 3), напряжение Иэ сделается равным нулю. Следовательно, начиная с этого момента уменьшается и ток базы, равный их сумме. Этап, на котором оба р-п перехода смещены в обратном направлении, но в базе ( в отличие от статического режима) имеется некоторый остаточный заряд, назовем этапом динамической отсечки транзистора. [41]
Поэтому добавочная концентрация дырок, обязанная примеси, в 75 раз больше, чем их концентрация в чистом веществе. [42]
 |
Распределение в транзисторе. [43] |
Распределение концентрации дырок в базе для рассмотренной полярности включения источников напряжения показано на рис. 10, в. [44]
Распределение концентрации дырок в базе для режима насыщения показано на рис. 13, в. Концентрация дырок на границе базы и коллектора становится выше равновесной. В соответствии с соотношением ( 1) это означает, что на коллекторном переходе действует прямое напряжение. Таким образом, в режиме насыщения коллектор, так же как и эмиттер, имеет положительный потенциал относительно базы. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5