Концентрация - дырка
Cтраница 4
Снижение концентрации дырок в пленках ] 5 - Bio Sbi Tes при увеличении температуры подложки от 100 до 240 С авторы 1172 ] объясняют активацией диффузионных процессов в пленке, способствующих более полному растворению теллура, оказывающего донорное действие. На полноту формирования Bi05Sb15Te3 положительное влияние, по-видимому, оказывает применение гомогенизатора [172], в. Высокая концентрация дырок в объемном Bi05Sb15Te3 связана со значительным отклонением состава твердой фазы от стехиометрического в сторону меньшего содержания теллура при кристаллизации из расплава, даже содержащего избыток теллура. [46]
Зависимость концентрации дырок от температуры подложки для пленок р - Bi0 5Sbij5Te3 на слюде показана на рис. 2.22. Из этого рисунка видно, что кривая зависимости р ( Ти имеет минимум при температурах подложки выше 200 С. Сложный характер этой зависимости связан с одновременным действием ряда факторов, влияющих на концентрацию носителей в пленках, причем по-разному при разных температурах конденсации. [47]
Снижение концентрации дырок в пленках ] 5 - Bio Sbi Tes при увеличении температуры подложки от 100 до 240 С авторы 1172 ] объясняют активацией диффузионных процессов в пленке, способствующих более полному растворению теллура, оказывающего донорное действие. На полноту формирования Bi0) 5Sb1) 5Te3 положительное влияние, по-видимому, оказывает применение гомогенизатора [172], в. Высокая концентрация дырок в объемном Bi0 5Sb1) 5Te3 связана со значительным отклонением состава твердой фазы от стехиометрического в сторону меньшего содержания теллура при кристаллизации из расплава, даже содержащего избыток теллура. [48]
Увеличение концентрации дырок в пленках Bi0j5Sb1) 5Te3 ( Рэс101в см-3) приводит к изменению характера температурных зависимостей кинетических коэффициентов. Более того, с увеличением температуры растет отрицательное значение Q по абсолютной величине при Т 200 К. [49]
Градиент концентрации дырок в n - базе на границе п - п перехода, как видно из рис. 1.19, равен нулю. Это означает, что диффузионный ток дырок через этот переход также равен нулю. [51]
Распределение концентрации дырок в базе диода р ( х, t) находят из решения нестационарного уравнения непрерывности для дырок. Это уравнение здесь не приводится. [52]
Распределение концентрации дырок р ( х, t), полученное для этого случая из решения уравнения непрерывности, описывается довольно громоздким выражением. Графически для отдельных моментов времени оно изображено на рис. 2.3. В рассматриваемом случае градиент дырок на границе п-базы с п - п переходом равен нулю, так как дырочный ток через этот переход полагается пренебрежимо малым. [53]
 |
Движение носителей в транзисторе типа р-п - р ( а и распределение концентрации носителей в нем ( б. [54] |
Распределение концентрации дырок на пути их движения от эмиттерного перехода к коллекторному отличается от линейного благодаря постепенной рекомбинации некоторого числа дырок с электронами. На границе коллекторного перехода дырки попадают в зону действия ускоряющего поля в переходе и, пройдя коллекторный слой, создают коллекторный ток / к. Значение этого тока определяется касательной к кривой косеканса у коллекторного перехода. [55]
Повышение концентрации дырок приводит к тому, что через переход появляется дырочный ток, направленный в р-область. Наличие тока / / нарушает тепловое равновесие и приводит к тому, что р-область полупроводника заряжается положительно относительно га-области. Возникшая таким образом разность потенциалов ф уменьшает потенциальный барьер, что соответствует смещению p - n - перехода в прямом напра - рис. 4.70. Семейство влении. [56]
Повышение концентрации дырок в приповерхностной области электронного полупроводника приводит к ускорению процессов, протекающих на границе окисел - электролит. Это прежде всего реакция окисления воды до кислорода, который может или адсорбироваться на окисле, или растворяться в электролите. Не исключено также, что с повышением концентрации неосновных носителей тока ускоряются адсорбционные процессы ( фотоадсорбция), вследствие чего облегчается окисление вольфрама. [57]
Увеличение концентраций дырок и электронов повышает удельную проводимость и обратный ток при заданном напряжении. Вскоре достигается такое состояние, когда в результате кумулятивного эффекта этого процесса возникает очень большой ток, и происходит пробой. [58]
Произведение концентраций дырок и электронов в данном полупроводнике не зависит ни от числа примесных атомов, ни от энергии их электронов. Ото произведение всегда равно квадрату концентрации свободных зарядов в чистом полупроводнике при той же температуре. [59]
Изменение концентраций дырок и электронов в области пространственного заряда, однозначно определяющее величину ф5, приводит к изменению проводимости приповерхностного слоя. Так, у поверхности полупроводника n - типа при qs0 скапливаются электроны ( обогащенный слой) и проводимость образца увеличивается. Одновременно в приповерхностном слое растет концентрация дырок. При этом изгиб зон оказывается столь большим, что валентная зона становится ближе к уровню Ферми, чем зона проводимости. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5