Концентрация - свободный носитель
Cтраница 1
 |
Энергетическая диаграмма р-п перехода для вырожденных полупроводников. [1] |
Концентрации свободных носителей как в р -, Так и в - области весьма высоки ( Nn xPptt 1019 см-3, и, следовательно, р-п переход создается на границе вырожденных полупроводников. [2]
Концентрация свободных носителей в приповерхностном слое зависит от значения и знака поверхностного заряда ( см. § 1.8), который выше при описании эффекта поля не учитывался. [3]
 |
Статические характеристики полевого транзистора со встроенным каналом п-типа. [4] |
Концентрация свободных носителей в канале значительно меньше, чем в сильно легированных областях истока и стока. Для уменьшения проходной емкости затвор-сток, улучшения ВЧ характеристик и уменьшения внутренней обратной связи, создаваемой пассивным сопротивлением области истока, в МДП транзисторах со встроенным каналом предпочитают затвор сдвигать в направлении к истоку. [5]
Если концентрация свободных носителей мала, то проводимость удобно1 измерять через диэлектрические потери. Разделить эти составляющие ( и, кроме того, вклад, атомной поляризации, см. ниже) можно изучением частотной зависимости диэлектрических потерь. [6]
Расчет концентрации свободных носителей в полупроводнике является важнейшей составной частью статистики электронов. [7]
Зависимость концентрации свободных носителей п от содержания кремния в крист алле. [9]
Временная зависимость концентрации свободных носителей, возникших в результате фотогенерации, описывается дифференциальными уравнениями. В стационарном состоянии скорость генерации свободных носителей равна скорости их рекомбинации. Обозначим Дп плотность свободных электронов, которые возникли в результате фотогенерации в полупроводнике n - типа. [10]
При определении концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике будем считать, что механизм их образования обусловлен лишь термической ионизацией за счет энергии тепловых колебаний решетки. Образовавшиеся при этом свободные носители заряда находятся в термодинамическом равновесии с решеткой. [11]
Вследствие неравенства концентраций свободных носителей зарядов двух контактирующих полупроводников происходит диффузия зарядов из одного полупроводника в другой. В результате этого оставшиеся связанные заряды создают двойной запирающий слой, статическое электрическое поле которого препятствует дальнейшей диффузии основных носителей. Образовавшийся внутренний потенциальный барьер могут преодолеть только те основные носители, которые имеют достаточную кинетическую энергию. Для неосновных носителей потенциальное поле является ускоряющим, и они продолжают переходить из одной части полупроводника в другую. Однако ток неосновных носителей весьма мал, так как их концентрация ничтожна. Кроме того, в состоянии динамического равновесия потоки носителей заряда различных знаков одинаковы и ток через р-п-пе-реход отсутствует. [12]
Критический рост концентрации свободных носителей заряда и температурный гистерезис при переходе пз диэлектрической фазы в металлическую м-г 1 быть объяснены в модели эксптонного диэлектрика. Как было показано Моттом, электронный спектр кристалла с небольшим перекрытием двух зон подобен полуметаллу, что способствует локализации электронно-дырочных пар в виде экситонов. Их образование в кристаллической решетке повышает поляризуемость, электронная составляющая которой пропорциональна кубу рассто - Я ] - ия электрона от положительного заряда. С изменением поляризуемости изменяется и фононный спектр кристалла, поскольку возрастает его диэлектрическая проницаемость. [13]
Величина электропроводности пропорциональна концентрации свободных носителей ( электронов и дырок), которая существенно зависит от ширины запрещенной зоны твердого тела. Вещества с большой шириной запрещенной зоны, имеющие, следовательно, малую электропроводность, относятся к классу диэлектриков, а вещества с узкой запрещенной зоной - к классу полупроводников. [14]
 |
Распределение частиц газа по ктронов твердом теле объеди.| Схема энергетических зон для электронов в проводниках ( а, б, полупроводниках ( а и изоляторах ( г. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5