Концентрация - свободный носитель
Cтраница 2
В зависимости от концентрации свободных носителей, которая связана со способом взаимодействия атомов в решетке, изменяется значение энергетического зазора между валентной зоной и зоной проводимости. [16]
При освещении полупроводника концентрация свободных носителей заряда в нем может возрасти за счет носителей, возбужденных поглощенными квантами света. При оптическом возбуждении электронов из валентной зоны в зону проводимости возникает пара свободных носителей - электрон и дырка. Если за счет света происходит переход электрона из валентной зоны на примесные уровни или с примесных уровней в зону проводимости, образуются свободные носители одного знака - дырки или электроны. [17]
В ряде случаев концентрация свободных носителей заряда может достигать очень больших значений. Это обычно может происходить, например, при воздействии ионизирующих излучений: рентгеновских и гамма-лучей, потоков нейтронов и т.п. Заряженные ионы, так же. При встрече положительных и отрицательных ионов происходит их рекомбинация. В стационарном случае, когда число ионов не изменяется с течением времени, между процессами генерации и рекомбинации заряженных частиц устанавливается динамическое равновесие. [18]
Это поглощение пропорционально концентрации свободных носителей заряда, квадрату длины волны падающего света и обратно пропорционально подвижности носителей. Если энергетические зоны у полупроводника сложные, то поглощение свободными носителями заряда, например дырками в германии, может быть вызвано также и переходами дырок между отдельными подзонами сложной валентной зоны. [20]
 |
Спектр поглощения атомов бора в кремнии. [21] |
При освещении полупроводника концентрация свободных носителей заряда в нем может возрасти за счет носителей, возбужденных поглощенными квантами света. При оптическом возбуждении электронов из валентной зоны в зону проводимости возникает пара свободных носителей - электрон и дырка. Если за счет света происходит переход электронов из валентной зоны на примесные уровни или с примесных уровней в зону проводимости, образуются свободные носители одного знака - дырки или электроны. [22]
В ряде случаев концентрация свободных носителей заряда может достигать очень больших значений. Это обычно связано с фотоионизацией молекул газа. Заряженные ионы, так же как и окружающие их не имеющие электрического заряда молекулы газа, совершают беспорядочные тепловые движения, и вследствие диффузии происходит выравнивание концентрации ионов в газе. При встрече положительных и отрицательных ионов происходит их рекомбинация. В стационарном случае, когда число ионов не изменяется с течением времени, между процессами генерации и рекомбинации заряженных частиц устанавливается динамическое равновесие. [23]
 |
Прямая ( а и обратная ( б ВАХ реального диода. [24] |
При прямом смещении концентрация свободных носителей заряда в переходе увеличивается, поэтому генера-ционно-рекомбинационный процесс сдвигается в сторону рекомбинации и ток в прямом направлении возрастает на некоторую величину / рек. Ток / рск называют током рекомбинации. [25]
Экспоненциальный закон изменения концентрации свободных носителей зарядов в полупроводниках при изменении температуры объясняет принципиальное различие между температурной зависимостью проводимости полупроводников и металлов. У последних концентрация свободных носителей практически не зависит от температуры. [26]
Здесь / Jo - концентрация свободных носителей, т - время, которое электрон проводит в зоне проводимости между двумя захватами, а тв - время, в течение которого электрон находится на уровне прилипания. [27]
Проводимость всякого проводника пропорциональна концентрации свободных носителей заряда в нем и их подвижности. Следовательно, температурный ход проводимости полупроводника определяется температурной зависимостью концентрации и подвижности носителей в нем. Подвижность свободных носителей в кристалле определяется рассеянием электронных волн на неоднородн остях кристаллической решетки. [28]
С другой стороны, концентрация свободных носителей заряда в этом веществе часто даже меньше, чем в графите. [29]
В таких материалах увеличение концентрации свободных носителей сначала, как обычно, приводит к появлению ферми-вырождения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5