Концентрация - свободный носитель
Cтраница 5
 |
Зависимость глубины модуляции от глубины поглощения.| Структурная схема электрооптического дефлектора. [61] |
Очевидно, что чем в большем диапазоне меняется концентрация свободных носителей, тем больше пределы изменения оптической плотности полупроводника и, соответственно, тем больше глубина модуляции. [62]
Из выражений (8.16) и (8.17) следует, что концентрация свободных носителей заряда в вырожденном полупроводнике не зависит от температуры. [63]
Из формул (6.7) и (6.8) следует, что концентрация свободных носителей заряда в данной зоне определяется расстоянием этой, зоны от уровня Ферми: чем больше это расстояние, тем ниже концентрация носителей, так как ц и а отрицательны. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5