Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Торопить женщину - то же самое, что пытаться ускорить загрузку компьютера. Программа все равно должна выполнить все очевидно необходимые действия и еще многое такое, что всегда остается сокрытым от вашего понимания. Законы Мерфи (еще...)

Концентрация - свободный носитель

Cтраница 3

Хемосорбция водорода сопровождается изменением концентрации свободных носителей заряда катализатора, что говорит о прямых электронных переходах между водородом и катализатором.  [31]

Экспериментальные данные показывают, что концентрация свободных носителей находится в гиперболической зависимости от стж, отжиг в течение нескольких часов при 150 С полностью снимает проводимость - YI, наведенную радиацией. Снижение YI наблюдается, и если хранить электреты под напряжением 90 В в течение 60 - 600 сут в комнатных условиях.  [32]

Спектры оптической фононной моды F2g кремния, снятые при различных плотностях энергии w возбуждающего излучения.| Динамика концентрации свободных носителей и температуры в оптически возбужденном кремнии.  [33]

Количественная оценка температуры решетки, концентрации фотовозбужденных свободных носителей и вызываемой последними через механизм электрон-фононного потенциала деформации механических напряжений в кристалле была получена путем подгонки параметров модельных спектров под экспериментальные данные.  [34]

При наличии возбужденных примесных состояний концентрация свободных носителей заряда уменьшается вследствие их распределения по возбужденным уровням. Увеличение концентрации доноров приводит к уширению сильновозбужденных состояний, перекрытию волновых функций этих состояний и образованию зоны непрерывного спектра, соприкасающейся с зоной проводимости.  [35]

Используя рассмотренные выше температурные зависимости концентрации свободных носителей и их подвижности, нетрудно объяснить зависимости проводимости от температуры, которые показаны на рис. 1.14 для примесных кремния и германия в наиболее важном для практики диапазоне температур.  [36]

Зависимость кондентрации свободных носителей и степени компенсации от температуры подложки при разных входных давлениях хлористого водорода в слоях, полученных в негер-метячной системе.| Зависимость концентрации свободных носителей от температуры подложки в слоях, полученных в герметичной системе.  [37]

На рис. 1 приведена зависимость концентрации свободных носителей и степени компенсации / от температуры подложки при разных входных давлениях хлористого водорода. Из нее следует, что концентрация свободных носителей в слоях падает с ростом температуры подложки, степень же компенсации изменяется незначительно.  [38]

На рис. 2 приведена зависимость концентрации свободных носителей от температуры подложки после принятых мер по удалению следов воды и кислорода. Из приведенной зависимости видно, что концентрация свободных носителей падает с понижением температуры.  [39]

На рис. 3 приведена зависимость концентрации свободных носителей от температуры подложки, когда в систему вводится алюминий. С ростом температуры подложки растет концентрация свободных носителей.  [40]

На рис. 1 приведена зависимость концентрации свободных носителей как функции общего содержания кремния в кристалле.  [41]

Структура энергетических.  [42]

Так как удельная проводимость определяется концентрацией свободных носителей заряда и их подвижностью, то нарушение линейности закона Ома будет иметь место в том случае, когда по крайней мере одна из этих величин зависит от напряженности электрического поля.  [43]

Катодная поляризация селенового электрода в 2 М растворе EhSeOg.| Анодная поляризация.  [44]

Это обусловлено в первую очередь низкой концентрацией свободных носителей зарядов и наличием запретной зоны в полупроводнике.  [45]

Страницы:      1    2    3    4    5