Концентрация - свободный носитель
Cтраница 4
Лишь в случае металлов с низкой концентрацией свободных носителей заряда ре и ph по величине приближаются к единице. [46]
Сильное электрическое поле приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда в результате ударной ионизации, эффекта Зинера или внутренней холодной эмиссии, эффекта роста термического возбуждения вследствие понижения потенциального барьера, эффекта Штарка. [47]
Сильное электрическое поле приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда в результате ударной ионизации, эффекта Зинера, или внутренней холодной эмиссии, эффекта роста термического возбуждения вследствие понижения потенциального барьера, эффекта Штарка. [48]
Глубина локальных уровней влияет как на концентрацию соответствующих свободных носителей, так и на концентрацию самих дефектов, с которыми связаны эти уровни, так как уменьшение концентрации нейтральных дефектов в результате их ионизации восполняется за счет соответствующего сдвига равновесия кристалл-пар. [49]
Поэтому при обычных температурах они обладают очень низкой концентрацией свободных носителей заряда, обусловливающей чрезвычайно малую их электропроводность. Это позволяет использовать диэлектрические пленки в качестве изолирующих прокладок между металлами или металлами и полупроводниками в тонкопленочных и интегральных схемах. [50]
 |
Структура диода ( а, изменение распределения плотности объемного заряда ( б, роля ( в и потенциала ( г в идеальном р-п-пе-реходе. [51] |
Как указывалось, с увеличением прямого смещения концентрация свободных носителей в запорном слое повышается. [52]
Положение уровня Ферми меняется в зависимости от концентрации свободных носителей. [53]
Таким образом, при облучении полупроводника увеличивается концентрация свободных носителей зарядов и, следовательно, повышается его проводимость. Генерация свободных носителей зарядов в полупроводнике, происходящая вследствие облучения полупроводника, называется внутренним фотоэффектом. [54]
Таким образом, при облучении полупроводника увеличивается концентрация свободных носителей зарядов и, следовательно, повышается его проводимость. Генерация свободных носителей зарядов в полипроводнике, происходящая вследствие облучения полупроводника, называется внутренним фотоэффектом. [55]
В r - слое с собственной электропроводностью концентрация свободных носителей заряда весьма мала ( рис. 3.8, б), поэтому практически вся область длиной W обеднена свободными носителями и распределение электрического поля в ней соответствует рис. 3.8, в. Из-за сильной зависимости коэффициента ударной ионизации от напряженности электрического поля [ см. (2.85) ] область лавинного умножения сильно локализована ( рис. 3.8, г), поэтому процесс умножения носителей заряда происходит в узком слое толщиной хум. Слой вне области умножения ( л: ум х W) называется областью дрейфа. Носители заряда, генерируемые в обратносмещенном / э - / г-переходе, разделяются полем последнего и дрейфуют в нем. Путь и время дрейфа электронов значительно больше пути и времени дрейфа дырок. Поэтому временем дрейфа дырок можно пренебречь и считать, что все пролетное запаздывание тпр и связанное с ним динамическое ОС определяются дрейфующими электронами. [56]
Рассмотрим теперь отдельно положение уровня Ферми и концентрацию свободных носителей заряда в собственных и при-месных полупроводниках. [57]
Следовательно, малая величина проводимости связана с чрезвычайно низкой концентрацией свободных носителей заряда. Более того, монокристаллы полиди-ацетилена до сих пор не удается легировать. [59]
Предположение, что теплопроводность решетки не зависит от концентрации Свободных носителей, является, вообще говоря, не вполне строгим; во-первых, изменение концентрации носителей ( при данной температуре) всегда требует введения примесей, а последние вызывают дополнительное рассеяние фононов и снижают теплопроводность решетки; во-вторых, фо-ноны рассеиваются непосредственно на свободных электронах и дырках, - по этой причине теплопроводность кристаллической решетки металлов ничтожно мала. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5