Концентрация - легирующая примесь
Cтраница 1
Концентрация ND легирующей примеси находится расчетным путем из слагаемого, в которое в качестве переменной величины входит напряжение, другие же слагаемые, не зависящие от напряжения и определяющие величину указанного сдвига вольт-фарадной характеристики, позволяют вычислить значение произведения NACP, где d - расстояние между поверхностью раздела и наиболее удаленным от нее краем компенсированного слоя, a NA - концентрация акцепторов. При очень высоких значениях NA образуется гомогенный р-я-переход в слое CdS, а при очень низкой концентрации акцепторов обедненный слой содержится внутри компенсированной области. Для двух рассмотренных предельных случаев зависимости С-2 от V совпадают, и если провести их линейную экстраполяцию, то соответствующие кривые пересекут ось напряжений в точке V VD - При непланарной форме перехода в уравнение, с помощью которого определяется емкость, необходимо ввести коэффициент увеличения площади перехода. [1]
Концентрацию легирующей примеси в слоях эмиттера, базы и коллектора обозначим N3, N &, NK. Говоря о концентрации носителей заряда в эмиттере, будем добавлять индекс Э, в коллекторе - индекс К, например ппоэ-равновесная концентрация основных носителей заряда ( ОНЗ) - электронов в эмиттере; рпок - равновесная концентрация неосновных носителей заряда ( ННЗ) - дырок в коллекторе. [2]
 |
Бездислокационный монокристалл кремния.| Поперечное сечение монокристал лов при оформлении их гранями ( 110. ( а, 211 ( 6, 111 ( в. [3] |
Изменение концентрации легирующей примеси ( фосфора) от 1013 до 1019 см-3 на форме роста монокристаллов существенно не сказывается. [4]
 |
Аннигиляция торной примесью. [5] |
При повышении концентрации легирующих примесей нейтральные солитоны превращаются в заряженные дефекты. Таким образом, магнитная восприимчивость стремится к значению, соответствующему одному спину на две цепочки. [6]
При повышении концентрации легирующих примесей в транс-полиацетилене происходит фазовый переход полупроводник-металл. [7]
Здесь ND - концентрация легирующей примеси в базовой области ( определяемая по зависимости емкости от напряжения при обратном смещении), Lp - диффузионная длина неосновных носителей в базе я-типа проводимости, А - площадь перехода. [8]
Зависимость подвижности от концентрации легирующей примеси N сложная и в целом аналитически не описывается. Экспериментальные зависимости рп ( N) и цр ( N) для кремния приведены на рис. 2.3. Примеси являются центрами рассеяния в полупроводнике, увеличение их концентрации приводит к уменьшению средней длины свободного пробега носителей (2.9), а значит, снижению их подвижности. [10]
Для компенсации увеличения концентрации легирующей примеси в расплаве вследствие убыли атомов полупроводника скорость вытягивания v со временем несколько снижают. Это приводит к снижению К и обеспечивает постоянство легирующей присадки в растущем монокристалле. [11]
Если в плоскости контакта концентрация легирующей примеси изменяется скачком от Яд к ЯА, то такой переход называется резким или ступенчатым. [13]
 |
Зависимость эффективного параметра анизотропии от концентрации примеси. [14] |
При этом с ростом концентрации легирующей примеси увеличивается вклад рассеяния на заряженных центрах. Это подтверждается еще и тем, что второй участок кривой 2 проявляется при меньших концентрациях ( 2 - 1014слг3 2 - 101в слг3), так как при температуре жидкого азота вклад рассеяния на ионизованных примесях увеличивается. При еще большем легировании ( третий участок кривой /) вклад рассеяния ионами, безусловно, увеличивается, однако влияние экранирования ионов свободными электронами препятствует дальнейшему уменьшению К. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5