Концентрация - легирующая примесь
Cтраница 3
В частности, в работе [355] исследовано влияние концентрации легирующей примеси на условия проявления и основные закономерности пробойных явлений в кремнии. [31]
Как зависит положение уровня Ферми в примесных полупроводниках от концентрации легирующих примесей. [32]
На рис. 60 изображена экспериментальная зависимость биполярной подвижности от концентрации легирующей примеси, хорошо согласующаяся с вышеприведенными теоретическими выводами. [33]
Это потребовало создания сильноточных установок, позволяющих быстро достигать концентрации легирующей примеси в единицы и десятки процентов. [34]
 |
Распределение концентраций легирующей примеси ( а и плотности объемного заряда р ( б в линейно-плавном переходе. [35] |
На рис. 2.20, а, б показано распределение концентраций легирующей примеси и плотности объемного заряда р ( я) в так называемом линейно-плавном р-п-переходе. [36]
 |
Устройство диффузионного резистора на р-слое ( / - выводы резистора. 2 - диэлектрический слой. 3 - резистор. [37] |
Для определения удельных параметров диффузионного резистора рассчитывают средние значения концентрации легирующей примеси N ( х) и подвижностей носителей заряда ц п и [ ip в нем, а затем - удельные проводимость и сопротивление. [38]
Обычно принимается, что свойства легированного монокристалла определяются природой и концентрацией легирующей примеси и в значительно меньшей степени дислокациями. [39]
Расчет параметров и характеристик дрейфовых транзисторов осложнен тем обстоятельством, что концентрация легирующей примеси в слоях транзистора зависит от координаты. [40]
Соотношение (1.8) подтверждено экспериментально, причем найдено, что в диапазоне концентраций легирующих примесей 1015ч - 5 - 1017 см-3 оно выполняется с высокой степенью точности. При концентрации примеси, превышающей некоторое значение, наблюдается заметное нарушение ионизационного равенства. Следует отметить, что между пороговым значением концентрации и пределом растворимости примеси существует корреляционная зависимость, причем более высокому пределу растворимости соответствует более высокая концентрация, при которой равенство (1.8) нарушается. Отклонение от этого равенства наступает задолго до достижения предела растворимости примеси в полупроводнике. Увеличение концентрации преципитаций не приводит к повышению концентрации подвижных носителей заряда, и их влияние на электропроводность полупроводника может быть обусловлено только возрастанием относительного вклада рассеяния на нейтральных атомах примеси. [41]
А) резко уменьшает концентрационное тушение - основную принципиальную причину, ограничивающую концентрацию активных легирующих примесей в классических матрицах, не говоря о дополнительных технологических трудностях оптически однородного введения не строго изоморфной примеси. [42]
Оно наименьшее вблизи границы базы pz с переходом / 3, где концентрация легирующих примесей наибольшая, и увеличивается в сторону перехода / г. Однако слаболегированный участок базы рг обычно охватывается слоем объемного заряда коллекторного перехода. Точное значение тп неизвестно. [43]
На рис. 5.19 показаны рассчитанные в работе [634] зависимости напряжения лавинного пробоя от концентрации легирующей примеси для четырех наиболее часто используемых полупроводниковых материалов при 300 К. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5