Концентрация - легирующая примесь
Cтраница 5
Следующим параметром, определяющим качество эпитаксиальных слоев, получаемых методом жидкофазной эпи-таксии, являются уровень концентрации легирующей примеси и однородность ее распределения по толщине эпитаксиального слоя. При сильном, выше уровня концентрации собственных носителей заряда ( при температурах жидкостной эпитаксии) легировании угол наклона этого графика меняется, что объясняется влиянием кинетических факторов. К ним в первую очередь относится коэффициент диффузии. [61]
Наиболее удобен первый способ легирования эпитаксиальных пленок, так как он позволяет более точно контролировать концентрацию легирующей примеси. [62]
 |
ВоЛьт-амперная характеристика диода в обратном направлении при двух значениях температуры. [63] |
Толщина - базы, удельное сопротивление кремния в и-базе и время жизни дырок в ней, концентрации легирующих примесей и времена жизни неосновных носителей в р - к п - слоях всегда имеют определенный разброс по площади реальных р - п-п структур. [64]
Температура перехода от аморфной к поликристаллической кремниевой пленки зависит от скорости осаждения ( У) и концентрации легирующей примеси. Повышение концентрации легирующей примеси обычно понижает температуру перехода от аморфной к поликристаллической кремниевой пленки. Для НТ SA CVD Si ( SiHyH2) процесса температура перехода составляет 675 С. [65]
 |
Плавный р-я-переход. [66] |
Толщина слоя объемного заряда согласно (8.32) тем больше, чем ниже концентрация основных носителей, равная концентрации легирующей примеси. При этом глубина проникновения контактного поля больше в ту область полупроводника, которая легирована слабее. [67]
На рис. 3.13 показаны кривые температурной зависимости подвижности и ( 1 / Т) при различных значениях концентрации легирующей примеси в невырожденном полупроводнике. [68]
На рис. 2.2 показаны кривые температурной зависимости подвижности ц ( 1 / Т) при различных значениях концентрации легирующей примеси в невырожденном полупроводнике. [69]
Страницы: 1 2 3 4 5