Концентрация - легирующая примесь
Cтраница 4
 |
Кривые растворимости примесей в германии. [46] |
Одно из возможных объяснений наблюдаемого различия в подвижпостях для одной и той же концентрации различных легирующих примесей может быть связано с величинами энергии ионизации ( напр. [47]
 |
Кривые растворимости примесей в германии.| Кривые растворимости примесей в кремнии. [48] |
Одно из возможных объяснений наблюдаемого различия в подвижностях для одной и той же концентрации различных легирующих примесей может быть связано с величинами энергии ионизации ( напр. [49]
Коэффициенты диффузии Dn и D рЭ, входящие в (13.29), зависят от концентраций легирующих примесей в базе и эмиттере соответственно. [50]
Легирование с использованием жидких галогенидов удобно для получения однослойных структур с малым диапазоном концентрации легирующей примеси. [51]
 |
Разделение возбуждаемых светом электронно-дырочных пар на р - и-переходе. [52] |
Объемная фотоэдс-вызывается разделением пар носителей на неоднородностях в объеме образца, создаваемых изменением концентрации легирующей примеси, или изменением хим. состава сложных полупроводников. Причиной разделения пар является т.н. встроенное электрич. Оно создается в результате изменения положения уровня Ферми & f, зависящего от концентрации примеси, а в образцах с перем. [53]
 |
Зависимости коэффициентов диффузии D различных элементов от обратной температуры. [54] |
Указанное влияние степени легирования на подвижность и время жизни носителей заряда ограничивает пределы по концентрации легирующей примеси в активных светопоглощающих слоях солнечных элементов. [55]
Как известно, поверхностный потенциал реальной поверхности полупроводников мало зависит от типа электропроводности и концентрации легирующей примеси и определяется химическим составом окружающей среды и характером обработки поверхности. Поэтому с течением времени поверхностный потенциал стабилизируется. Таким образом, составляющая систематической погрешности при измерении удельного сопротивления после длительной выдержки эпитаксиальной структуры на воздухе, обусловленная влиянием избыточной поверхностной проводимости, невелика для кремния р-типа и возрастает для кремния л-типа. [56]
Эта тенденция проявляется тем сильнее, чем ниже температура и выше уровень термоупругих напряжений и концентрация легирующей примеси. [58]
При подаче импульса напряжения, сопровождающегося инжекцией основных носителей, концентрация N инжектированных носителей равна концентрации легирующей примеси. Если импульс напряжения вызывает инжекцию неосновных носителей, величину N определить трудно. [59]
Страницы: 1 2 3 4 5