Большая концентрация - примесь
Cтраница 1
Большая концентрация примесей в п - и р-областях туннельного диода приводит к расщеплению примесных уровней. В результате образуются примесные зоны / и 2 ( рис. 3.4, а), которые сливаются с зоной проводимости в л-полупроводнике и с валентной зоной в / 7-полупроводнике; р - и л-области становятся вырожденными. На рис. 3.4, а приведена энергетическая диаграмма туннельного диода. [1]
Большая концентрация примеси во вплавной области достигается, в первую очередь, выбором соответствующего металла для вплавления. [2]
При большой концентрации примесей в результате взаимодействия примесных атомов между собой примесные уровни одного типа расщепляются в энергетическую примесную зону. Электроны, находящиеся в примесной зоне, так же как в зоне проводимости и в валентной зоне при неполном их заполнении, могут переходить с уровня на уровень, приобретая необходимую для этого энергию за счет ускорения во внешнем электрическом поле на длине свободного пробега. [3]
При большой концентрации примесей в результате взаимодействия примесных атомов между собой примесные уровни одного типа расщепляются в энергетическую примесную зону. Электроны, находящиеся в примесной зоне, так же как в зоне проводимости и в валентной юне при неполном их заполнении, могут переходить с уровня на уровень, приобретая необходимую для этого энергию за счет ускорения во внешнем электрическом поле на длине свободного пробега. [4]
При большой концентрации примесей в результате взаимодействия примесных атомов между собой примесные уровни одного типа расщепляются в энергетическую примесную зону. Электроны, находящиеся в примесной зоне, так же, как в зоне проводимости и в валентной зоне при неполном их заполнении, могут переходить с уровня на уровень, приобретая необходимую для этого энергию за счет ускорения во внешнем электрическом поле на длине свободного пробега. [5]
При больших концентрациях примесей в газе-носителе графики отклоняются от прямолинейности, загибаясь в сторону оси концентраций. Это же имеет место при больших концентрациях определяемых примесей в пробе. Применение-логарифмического масштаба расширяет область прямолинейности калибровочных графиков. В случае, если концентрация примесей в хроматографической зоне превышает 0 1 %, можег наблюдаться перегрузка детектора. При этом калибровочные графики переходят вначале в область насыщения, а затем хро-матографические пики раздваиваются из-за образования провала в верхней части пика, и детектирование становится невозможным. Перегрузки детектора можно избежать, правильно выбирая величину дозируемого объема. [6]
При больших концентрациях примесей ( Л 10 9 см-3) толщина обедненного слоя становится столь малой, что электроны могут переходить из металла в полупроводник за счет туннельного эффекта. Обратный ток резко увеличивается, как при туннельном пробое в р-я-переходе. [7]
При больших концентрациях примеси периодический процесс разделения мало эффективен. [8]
При больших концентрациях примесей их уровни образуют примесные зоны. Возьмем полупроводник с относительно малой концентрацией примесей и обозначим через WD и WA соответственно энергии донор-ных и акцепторных уровней, а через GD и GA - степени их вырождения. На примесном уровне не может быть больше одного электрона вследствие отталкивания электронов. [9]
При больших концентрациях примесей ( окись железа в хлористом литии и хлористое серебро в хлористом натрии) развитие путей при высокой температуре приостанавливалось, тогда как при более низкой концентрации хлористого серебра устранялись пути случайные и 111 пути; оказывался возможным переход 100 - - 110 при низких температурах, как в чистых солях. В смешанных кристаллах KCl-КВг значительных изменений не замечалось; тенденция к образованию конфигурации 110 может быть больше, чем в чистых солях. Изображения звезды, по-видимому, характерны для галоидов лития и фигуры - 1Н галоидов натрия. [10]
При больших концентрациях примеси периодический процесс разделения является менее эффективным. Довольно низкая разделяющая способность при больших концентрациях низкоплавкого компонента ( примеси), видимо, объясняется необходимостью создания значительных градиентов температуры по длине пробирки, что сопряжено с конструктивными трудностями. [11]
 |
Структурная схема метода модуляции проводимости. [12] |
При сравнительно больших концентрациях примеси температура Тшах может выйти за пределы области примесной проводимости, где формула цх Rya неприменима. [13]
 |
Структура диффузионного конденсатора с использованием барьерной емкости коллекторного перехода транзисторной структуры ( диффузия доноров для формирования эмит-терной области не проводилась. [14] |
Однако при большой концентрации примесей в прилегающих к переходу областях и, следовательно, при малой толщине перехода будет мало пробивное напряжение такого перехода, а значит, и диффузионного конденсатора. Таким образом, удельную емкость и пробивное напряжение диффузионных конденсаторов надо рассматривать совместно. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5