Cтраница 5
Получающееся электрическое поле всегда направлено так, что способствует движению неосновных носителей из области с большой концентрацией примесей в область с малой концентрацией. Следовательно, поле, способствующее движению неосновных носителей от эмиттера к коллектору, создается, если концентрация нескомпенсированных примесей в базе спадает по направлению от эмиттера к коллектору. Однако в этом случае может возникнуть участок, где поле будет препятствовать движению носителей от эмиттера к коллектору ( тормозящее поле), что обычно ухудшает свойства транзистора. [61]
Это значит, что максимальная рабочая температура полупроводникового прибора, созданного на основе полупроводника с большей концентрацией примесей, будет также немного выше максимальной рабочей температуры такого же прибора из того же материала, но с меньшей концентрацией примесей. [62]