Большая концентрация - примесь
Cтраница 3
Такие концентрации носителей соответствуют полупроводниковым материалам с довольно большой концентрацией примесей. Отсюда следует, что для каждого термоэлектрического материала необходим подбор д опорных или акцепторных примесей, обладающих достаточной растворимостью в данном веществе. [31]
В связи с этим скорость дрейфа при больших концентрациях примеси падает. [32]
Высокое значение энергии активации электропроводности Е при больших концентрациях примесей навело Хайкса и Джонстона [152] на мысль о том, что это вызвано энергией активации подвижности перехода носителя тока от одного иона к соседнему. Образовавшаяся дырка автолокализуется искажением решетки около нее. Число носителей тока в окислах переходных элементов обусловлено исключительно примесями и в отличие от электропроводности не зависит от температуры. [33]
Сегнетоэлект-рики с относительно большой степенью разупорядочения ( или большой концентрацией примесей) образуют особую группу, в которой показатель преломления изменяется постепенно между высоко - и низкотемпературной фазами, в противоположность резкому изменению в чистых сегнетоэлектриках. [34]
Как следует из соотношения ( 106), при больших концентрациях примесей ( сильнолегированный проводник) ширина перехода 6 становится очень малой и напряженность поля в переходе даже при небольших обратных напряжениях может достичь значительной величины. Действительно, согласно ( 109) в германиевом диоде при Nd 1018 см-а ширина перехода будет составлять 0 04 мк, а напряженность поля около 2 - 105 в / см уже при обратном напряжении, равном 1 в. [35]
 |
Устройство несимметричного ( а и симметричного ( б биполярных транзисторов. [36] |
Переход с меньшей площадью имеет приграничный слой полупроводника р-типа с большей концентрацией примесей ( легирован сильнее), чем приграничный слой полупроводника р-типа со стороны перехода большей площади. Средний слой называют базой, крайний сильнолегированный - эмиттером, а слой с большей площадью - коллектором. Части поверхностей эмиттера, базы и коллектора покрывают металлическими пленками. К этим пленкам сваркой или пайкой прикрепляют внешние выводы. Сам кристалл крепят на кристалл од ержателе и помещают в герметизированный металлический корпус, а выводы выводят наружу через изоляторы. [37]
Температурный интервал области истощения при этом уменьшается и она при больших концентрациях примеси может перестать наблюдаться. Тогда область примесной ионизации будет непрерывно переходить в область собственной ионизации. [38]
Эффективная концентрация экранирующих зарядов превышает среднюю концентрацию электронов; при больших концентрациях примесей заряд ионов примесей влияет на экранирование. Экранирование резко уменьшает электростатический потенциал иона на расстояниях, больших дебаевской длины экранирования. [39]
 |
Полупроводниковый диод типа Д7.| Полупроводниковый стабилитрон. [40] |
Полупроводниковый стабилитрон представляет собой плоскостной диод, изготовленный из кремния с большой концентрацией примесей. [41]
Температурный интервал области истощения при этом уменьшается, и она при больших концентрациях примеси может перестать наблюдаться. [43]
Основная часть кристалла - подложка толщиной около 0 2 мм - содержит большую концентрацию примесей и имеет малое удельное сопротивление. Тонкий монокристаллический слой того же самого полупроводника ( толщиной в несколько микрометров) с той же электропроводностью n - типа может быть получен на поверхности подложки методом эпитаксиального наращивания. Концентрация доноров в эпитаксиальном слое должна быть значительно меньше, чем концентрация доноров в подложке. [44]
Основная часть кристалла - подложка толщиной около 0 2 мм - содержит большую концентрацию примесей и имеет малое удельное сопротивление. Тонкий монокристаллический слой того же самого полупроводника ( толщиной в несколько микрометров) с той же электропроводностью я-типа может быть получен на поверхности подложки методом эпитаксиального наращивания. Концентрация доноров в эпитаксиальном слое должна быть значительно меньше, чем концентрация доноров в подложке. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5