Большая концентрация - примесь
Cтраница 4
 |
Зависимость пробивного напряжения при туннельном и лавинном пробое от удельного сопротивления базы диода. [46] |
Туннельный пробой может происходить только в р-я-пере-ходах, изготовленных в полупроводниках с большой концентрацией примесей, так как для туннелирования необходимы малая толщина потенциального барьера и, следовательно, малая толщина перехода. При малой толщине перехода пробивные напряжения его оказываются также малыми. Поэтому пренебрегать контактной разностью потенциалов в выражении (3.74) не следует, так как она может быть сравнима с пробивным напряжением. [47]
Так, использование методов обработки, целесообразное для малых количеств воды с большими концентрациями примесей, например, выпаривание, становится абсурдным для больших расходов малоконцентрированных жидкостей. [48]
 |
Зависимость про. [49] |
Туннельный пробой может происходить только в р-п-пере-ходах, изготовленных в полупроводниках с большой концентрацией примесей, так как для гуннелирования необходимы малая толщина потенциального барьера и, следовательно, малая ширина перехода. При малой ширине перехода пробивные напряжения его оказываются также малыми. Поэтому пренебрегать контактной разностью потенциалов в выражении (3.74) не следует, так как она может быть сравнима с пробивным напряжением. [50]
Дальнейшее совершенствование технологии СВЧ-транзисторов направлено на еще более точное изготовление базы со сравнительно большой концентрацией примесей. [51]
Она представляет собой трехслойный полупроводник, в котором между тонкими низкоомными ( с большой концентрацией примесей) р - и - слоями расположен промежуточный высокоомный i-слой чистого полупроводника, не содержащего в отличие от р-п перехода объемного заряда. [52]
 |
Зависимость про-бивного напряжения при туннельном и лавинном пробое от удельного сопротивления базы диода. [53] |
Туннельный пробой может происходить только в электронно-дырочных переходах, изготовленных в полупроводниках с большой концентрацией примесей, так как для туннелирования необходима малая толщина потенциального барьера и, следовательно, малая ширина перехода. При малой ширине перехода пробивные напряжения его оказываются также малыми. Поэтому пренебрегать величиной контактной разности потенциалов в выражении (3.74) не следует - она может быть сравнима с пробивным напряжением. [54]
Дальнейшее совершенствование технологии СВЧ транзисторов направлено на еще более точное изготовление базы со сравнительно большой концентрацией примесей. [55]
В этих полупроводниках энергия связи электронов составляет доли миллиэлектрон-вольта и значения проводимости при больших концентрациях примесей приближаются к значениям проводимости металлов. Примесные атомы бывают двух видов: доноры и акцепторы. Доноры, внедряясь в кристаллическую решетку, отдают свой электрон в зону проводимости. Акцепторы, наоборот, могут захватить электрон из валентной зоны, образуя в ней дырку. Различие между полупроводниками с собственной и с примесной проводимостью определяется лишь степенью влияния примесей на их электропроводность. Такой полупроводник называют электронным или полупроводником и-типа в отличие от полупроводника р-типа, или дырочного, у которого число дырок больше числа электронов. [56]
 |
Флуоресценция примесей в этаноле. [57] |
Безусловно, следует контролировать поглощение растворителя при 250 нм, чтобы убедиться в отсутствии больших концентраций поглощающих примесей, иначе сильно загрязненный растворитель не будет пропускать возбуждающий свет до середины кюветы и может показаться нефлуоресцирующим по этой причине. В этом методе проверки всегда имеет смысл записать главную полосу рамановского рассеяния, если нужно, при пониженной чувствительности прибора. Высота этой полосы является внутренним стандартом и облегчает, таким образом, количественное сравнение спектров, снятых в разное время; кроме того, она обеспечивает проверку правильности работы прибора. [58]
Некоторые производственные сточные воды, например сточные воды мокрого обугливания торфа, содержат в больших концентрациях примеси, легко усваиваемые микроорганизмами, осуществляющими биохимические процессы. Поэтому они используются в микробиологической промышленности для культивирования дрожжей. Полученная белковая масса может использоваться как ценный корм для скота и для производства различных биохимических препаратов. [59]
Это значит, что максимальная рабочая температура полупроводникового прибора, созданного на основе полупроводника с большей концентрацией примесей, будет также немного выше максимальной рабочей температуры такого же прибора из того же материала, но с меньшей концентрацией примесей. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5