Большая концентрация - примесь
Cтраница 2
Другим следствием большой концентрации примесей является расщепление примесных энергетических уровней с образованием примесных энергетических зон, которые примыкают к зоне проводимости в л-области и к валентной зоне в р-области. [16]
 |
Возможная конфигурация пленочного резистора. [17] |
Однако при большой концентрации примесей в прилегающих к переходу областях и, следовательно, при малой толщине перехода будет мало пробивное напряжение такого перехода, а значит, и диффузионного конденсатора. Таким образом, удельную емкость и пробивное напряжение диффузионных конденсаторов надо рассматривать совместно. Взаимосвязь между этими параметрами оказывается неблагоприятной для диффузионных конденсаторов. [18]
 |
Зависимость кинетического коэффициента поперечного эффекта Н. - Э. в германии п-типа от степени вырождения электронного газа. [19] |
Однако при больших концентрациях примеси экранирующий множитель g ( b) в формуле для времени релаксации при рассеянии на ионах начинает зависеть от энергии электронов. Следствием этого являются, как было показано в § 3.3, уменьшение фактора г и расхождение кривых 3 и 2 на рис. 3.54 при увеличении степени вырождения. [20]
Для этого необходима большая концентрация примеси. [21]
В связи с большой концентрацией примесей как в л -, так и в р-областях туннельного диода происходит расщепление примесных уровней. [22]
 |
Вольт-амперная характеристика и энергетические диаграммы туннельного диода при. [23] |
В связи с большой концентрацией примесей как в п -, так и в р-областях туннельного диода происходит расщепление примесных уровней. [24]
 |
Коэффициент преломления звуковых волн в кристалле с примесями, порождающими квазилокальные колебания с частотой ок. [25] |
Мы видим, - что наличие большой концентрации примесей с ярко выраженными квазилокальными частотами может привести к существенной деформации спектра длинноволновых колебаний кристалла. [26]
Один из них возникает при такой большой концентрации примеси, когда начинают перекрываться волновые функции электронов примесных атомов, образующих новую зону, лишь частично заполненную электронами. [27]
 |
Зависимость подвижности носителей заряда от температуры в примесном полупроводнике.| Зависимость удельной электропроводности невырожденного примесного полупроводника от температуры. [28] |
Наблюдаемые явления связаны с образованием при больших концентрациях примеси примесных зон. Когда Л / d велика, волновые функции электронов, связанных с примесными атомами, перекрываются. Это приводит к расщеплению примесных уровней в зону. С увеличением концентрации примеси эта зона все более расширяется и в конце концов сливается с зоной проводимости. Таким образом, исчезает энергия ионизации примеси. [29]
 |
Зависимости удельного сопротив. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5