Основной кристалл

Cтраница 1

Зависимость термодинамического потенциала ( а и его производных ( б, в от параметра порядка выше Тк. [1]

Основные кристаллы с переходом типа порядок-беспорядок перечислены в табл. 6.5. Применяя теорию Ландау ( см. § 4.1), можно получить закон Кюри - Вейса для температурного изменения е, описать температурную зависимость Рс, объяснить петлю диэлектрического гистерезиса и другие нелинейные свойства сегнетоэлектриков. [2]

Атом основного кристалла может заимствовать недостающий электрон у соседнего атома; при этом имеет место передвижение отрицательно заряженного электрона от атома к атому, что равносильно перемещению положительного заряда в противоположном направлении. Так как положительный заряд образован недостающим электроном, то он именуется электронной дыркой. [3]

Поскольку состав основного кристалла более или менее фиксирован, в любом случае диффузия кислорода не может играть большой роли. [4]

Валентность атомов основного кристалла может меняться. Классическим примером служит система NiO Li. Если при введении в окись никеля определенного количества атомов лития равное число атомов никеля переходит из двухвалентного состояния в трехвалентное, то литий может внедряться без образования атомных дефектов, что было бы необходимо при сохранении обоими элементами своей нормальной валентности. Наличие нескольких ионов другой валентности ( Ni3) среди совокупности ионов определенной валентности ( Ni2) приводит к увеличению проводимости. Поэтому в тех случаях, когда осуществляется указанный механизм внедрения, введение примесных атомов может быть использовано для создания необходимого числа носителей тока и тем самым для регулирования проводимости. ЕЗпервые это было предложено Фервеем и др. [ 9J, которые назвали описываемый эффект эффектом контролируемой валентности. [5]

При переходе из основного кристалла в объем эпитаксиальной пленки правильность и периодичность кристаллической решетки не должна претерпевать нарушений. Другими словами, и пленка и ее подложка должны представлять единую монокристаллическую структуру. Таким путем возможно создание электронно-дырочных переходов с заданной концентрацией в той и другой областях, получение тонких низкоомных слоев на высокоомном полупроводнике и наоборот. Сложность этого метода определяется исключительно высокими требованиями к чистоте и точности обработки поверхности полупроводника, являющегося подложкой. [6]

Схема включения полевого транзистора. [7]

Между затвором и основным кристаллом возникает р-п-переход, а в самом кристалле создается узкий канал К ( и-типа) для движения основных носителей заряда - электронов. Сечение канала зависит от напряжения на затворе. [8]

Схема получения дифениленоксида. [9]

После первой перекристаллизации температура плавления основных кристаллов составляет 82 6 - 83 2 С; температура плавления кристаллов, выделенных из маточного раствора, 81 4 - - 82 1 С. [10]

Спектр Мпвв, снятый с однокристальным гамма-спектрометром ( / и со спектрометром с защитным кристаллом на антисовпадениях ( 2. [11]

Источник излучения располагают на поверхности основного кристалла либо в отверстии, сделанном в основном кристалле. Иногда в защитном сцинтил-ляторе делают отверстие для ввода коллимированного излучения внутрь системы. [12]

Среди соединений включения, в которых основной кристалл имеет изолированные друг от друга пустоты, способные заполняться малыми, подходящими по размерам молекулами, можно назвать комплексы благородных газов с хинолом и гидраты некоторых углеводородов. В отсутствие жидкой фазы хинольные комплексы весьма устойчивы [90], и при любом исследовании равновесных условий необходимо присутствие какого-либо растворителя. Фазовая диаграмма системы хинол - аргон указывает на существование фазы, в которой одна треть пустот решетки 5-хинола заполнена атомами аргона. Фазовое равновесие гидратов углеводородов не было исследовано. [13]

Это значит, что поверхностные атомы основного кристалла ведут себя иначе, чем атомы в его объеме. Существование самой поверхности, как было указано И. Е. Таммом, уже является нарушением внутреннего потенциального периодического поля. И так же как при всяком нарушении периодичности, в этом случае должны возникать локальные уровни внутри запрещенной зоны полупроводника. Характер этих уровней может быть как акцепторным, так и донорным. Отличительной чертой этих уровней является их локализация не только по энергии, но и локализация в пространстве - они сосредоточены лишь на самой поверхности раздела полупроводника с вакуумом или газом. [14]

Температурная зависимость концентрации дефектов в кристалле простого вещества, содержащем фиксированную концентрацию примесных доноров Fjf. Пунктирные линии обозначают концентрацию собственных дефектов при отсутствии примеси. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5