Основной кристалл

Cтраница 3

Итак, если атомы примеси имеют больше валентных электронов, чем атомы основного кристалла, то концентрация свободных электронов резко возрастает. Примеси, отдающие электроны, называются до-норными. [31]

Смешанные кристаллы - кристаллы, содержащие второй компонент, внедряющийся в решетку основного кристалла и распределенный в этой решетке. При осаждении BaS04 в присутствии Сг04 - ( рН7) или Мп04 образуется осадок, окрашенный в желтый или, соответственно, в розовый цвет вследствие частичного замещения сульфат-ионов в кристаллической решетке осадка хромат - или, соответственно, перманганат-ионами. Предотвратить образование смешанных кристаллов можно, удалив мешающие ионы до осаждения. [32]

Поскольку, как упоминалось выше, окислительно-восстановительный потенциал зависит также и от устойчивости основного кристалла, приходится отдельно определять факторы, связанные с этой устойчивостью. Для этого необходимо глубокое изучение чистого основного материала. [33]

Импульсы от обоих кристаллов поступают на схему антисовпадений, которая пропускает импульсы от основного кристалла в анализатор только в отсутствие запрещающего импульса от защитного сцинтиллятора. [34]

Источник излучения располагают на поверхности основного кристалла либо в отверстии, сделанном в основном кристалле. Иногда в защитном сцинтил-ляторе делают отверстие для ввода коллимированного излучения внутрь системы. [35]

В результате на кристалле полупроводника получается тензочувствительный диффузионный слой, отделенный в электрическом отношении от основного кристалла р-я-переходом. [36]

Включения в форме мальтийского креста в кристалле кубической сингонии. Грани исходного зародыша почти совсем исчезли. [37]

Некоторые примеси при выполнении последнего условия способны образовывать по определенным плоскостям закономерные включения, располагающиеся внутри основного кристалла по пирамидам роста. [38]

Спектрограмма желтой водородоподобной серии линий поглощения экситопа в Сн2О при 4 2 К. Сверху указан номер членов серии, частоты к-рых удовлетворяют водородоподобной сериальной формуле. [39]

Переходы между электронными уровнями различного рода локальных нарушений в решетке создают полосы поглощения в области прозрачности основного кристалла, а также полосы в спектре люминесценции. Отдельный электронный переход в локальном центре обычно сопровождается колебат. В зависимости от величины взаимодействия переход может образовывать в спектре широкие ( - () ] - 1 j) колоколообразные полосы поглощения и излучения с большим стоксовым смещением между ними либо давать электропно-колебат. [40]

Как отмечает Харди [3], неизвестно, имеют ли усы металлов ту же ориентацию, что и основной кристалл, на котором они растут. Это соответствует кристаллизации ветви в направлениях осей а ячейки первичного кристалла. [41]

Последнее в свою очередь можно достичь изменением условий приготовления, в частности изменяя давление одного из компонентов основного кристалла. Это означает, что возможно изменение валентности атомов ( ионов) примеси. [42]

Полупроводниковый диод. [43]

Кроме основных носителей, в каждом из слоев возникают и неосновные носители, связанные с переходом электронов основного кристалла из валентной зоны в зону свободных уровней. [44]

Еще сложнее комплексы, составленные из точечных дефектов и примесных атомов, отличающихся по валентности от атомов основного кристалла; так, в структуре типа NaCl двухвалентный ион катионной примеси и вакансия Аа-образуют комплекс, существенно искажающий решетку. Взаимодействие этих дефектов с дислокациями вызывает упрочнение кристалла. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5