Основной кристалл

Cтраница 2

Состояние, отвечающее равновесию дефектов в основном кристалле, не содержащем примесей, изображено на рисунке пунктирными линиями. Нетрудно заметить, что выбор констант, описывающих равновесие собственных дефектов, соответствует области, определяющейся условиями: [ Ум. [16]

Иллюстрация общего экспериментального метода фракционной сублимации для очистки кристаллов. [17]

Прежде всего, поскольку примесь вводится в основной кристалл в небольших количествах, сам кристалл должен быть очень чистым и не содержать каких-либо посторонних примесей, которые могли бы конкурировать с исследуемыми и искажать результаты. Для иллюстрации важности этого требования заметим, например, что до 1961 г. наблюдаемые спектры флуоресценции нафталина были обусловлены главным образом примесью 0-метилнафталина. [18]

В нормальном смешанном кристалле компонент примеси внедряется в основной кристалл, причем атомы постороннего вещества размещаются по нормальным узлам решетки. [19]

Они располагаются несколько выше верхнего края валентной зоны основного кристалла ( рис. IV. [20]

В рассмотренных случаях предполагалось, что активности компонентов основного кристалла ( рм, Рх2) и активность примеси ( pD) могут изменяться независимо друг от друга. [21]

Субиндивиды разной формы в теле материнского кристалла. [22]

Кристаллизационное давление, развивающееся по индукционным поверхностям между основным кристаллом и блоком, создает новые напряжения, и возникают новые блоки. Таким образом, происходит прогрессивное нарастание блочности, причем каждый блок по-прежнему растет как самостоятельный кристалл. Такой процесс называется расщеплением кристаллов. [23]

В связи с этим полезно различать разупорядочение в основном кристалле ( так называемое собственное разупорядочение) и разупорядочение, связанное с присутствием примесных элементов. [24]

Кристаллооптический анализ, проведенный Е. А. Мухиным, показал, что основные кристаллы в образцах, к которым относятся спектры 3 и 4 на рис. II. Этот вывод подтверждается также условиями получения рассматриваемых кристаллов. [25]

Эпитаксиальные пленки представляют собой тонкие пленки полупроводника, наращиваемые на основной кристалл. [26]

Схема энергетических уровней неметаллического кристалла, содержащего дефекты, действующие как доноры D и акцепторы А электронов. [27]

Разумеется, что достигаемый при этом эффект определяется свойствами как основного кристалла, так и примеси. [28]

Основное соединение и соответствующее соединение примесного атома с одним из компонентов основного кристалла имеют определенные, но различающиеся между собой составы. [29]

Дырочная прово - [ IMAGE ] - 20. Энергетическая диаграмма димость полупроводника полупроводника с акцептором. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5