Основной кристалл

Cтраница 4

Он показал, что в органических кристаллах твердые растворы возникают, главным образом, вследствие замещения, когда молекулы основного кристалла и примеси близки по форме и размерам. [46]

Наконец, возможен случай, когда в результате растворения примеси валентность примесного атома становится одинаковой с валентностью соответствующего компонента основного кристалла, несмотря на то что при этих же условиях приготовления в отсутствие основного кристалла получается соединение примеси, где она имеет иную валентность. [47]

Если кластеры в расплаве действительно существуют, то различие в энергиях связи у разных кластеров проявится в различии температур кристаллизации основного кристалла и субкристалла из кластеров. [48]

Примеси замещения в кристалле могут вести себя двояко: они либо отдают свой электрон, либо захватывают электрон из решетки основного кристалла, создавая соответственно электронную или дырочную проводимость кристалла. Рассмотрим образование электронной и дырочной проводимости в идеальном кристалле германия. [49]

Известно, что некоторые кристаллы могут раскалываться ( расщепляться) на более мелкие, форма которых имеет точное сходство с формой основного кристалла. Процесс расщепления кристаллов может происходить ограниченное число раз. Хук и Аюи пришли к выводу, что все кристаллы состоят из большого количества мельчайших частиц, из которых каждая имеет форму, подобную форме более крупного кристалла. [50]

Выполненное Хохштрассером [230] исследование кристаллов бензофенона, содержащих в виде примеси 1 2-бензантрацен, дает дальнейшие доказательства миграции триплетных экситонов в решетке основного кристалла. [51]

Весьма тщательно выполненная работа Банка ( В ц п п) привела его к злключению, что адсорбция происходит на тех гранях основного кристалла, которые имеют те же или почти такие же межатомные расстояния, что и одна из граней нормального кристалла адсорбируемого вещества. Ориентированное наращивание второго вещества, вероятно, происходит таким образом, что наращиваемые кристаллы пристают к основному теми плоскостями, в которых межатомные расстояния совпадают с расстояниями основного кристалла. Повидимому, как адсорбция, так и ориентированное наращивание облегчаются, если пространственные решетки кристаллов данных двух веществ как можно больше отличаются друг от друга, за исключением одной плоскости, в которой их размеры должны быть насколько возможно тождественными. [52]

Микроструктура спека C2S, находившегося в расплаве при 1723 К ( дро. [53]

Между частицами в адсорбционном слое возможны неупругие столкновения, в результате которых могут образовываться мельчайшие кристаллики CsS, присоединяющиеся в дальнейшем к основному кристаллу. Следовательно, рост кристаллов в расплаве с повышенной концентрацией растворенного вещества может происходить не только благодаря последовательному отложению молекул на поверхности кристалла, но и вследствие прилипания к ней уже сформировавшихся мельчайших кристаллов, образовавшихся вблизи основного кристалла. [54]

Банн [94, 97] проиллюстрировал точку зрения Гобера многочисленными новыми примерами, подтвердив наличие связи между отложением мельчайших кристаллов примеси в виде слоев на плоскостях основного кристалла и изменением облика последнего. По мнению Банна, образование непрерывных слоев примесей на некоторых плоскостях растущего кристалла определяется прежде всего сходством структур граней двух кристаллов. Авторы на относительно простых примерах проиллюстрировали, что два вещества, кристаллы которых имеют сходство по некоторым главным кристаллографическим плоскостям, в действительности при совместной кристаллизации способны взаимно изменять облик друг друга. [55]

Многоформие же легирующих примесей, хотя и может быть связано со структурными дефектами ( дислокациями, вакансиями), но практически оно не меняет структуру основного кристалла. Поэтому использование терминов полиморфизм и аллотропия вложило бы в наблюдаемый эффект слишком определенный структурный смысл, который, возможно, и не столь велик в данном случае. [56]

Мы оставляем в стороне вопрос, каким образом происходит дегидратация ионов К и МпО, так как этот вопрос пока еще недостаточно ясен и в отношении ионов, строящих решетку основного кристалла. Участок решетки КМпО4 будет продолжением решетки BaSO4, так как обе решетки относятся к одному типу и имеют близкие постоянные. [57]

Согласно третьему предположению, выдвинутому для объяснения низкотемпературной части кривой и в основном сходному с упомянутым выше, данный эффект обусловлен случайным присутствием примесей, валентность которых отличается от валентности ионов основного кристалла. Это предположение в особенности заслуживает внимания, так как, исходя из него, можно интерпретировать и другие явления в ионных кристаллах и, кроме того, оно может быть подвергнуто непосредственной экспериментальной проверке. Для того чтобы сохранить электронейтральность кристалла, на каждый двухвалентный ион, присутствующий в кристалле, должна образоваться катионная вакансия. Такие катионные вакансии будут иметь одинаковую концентрацию при всех температурах, и, следовательно, их влияние на диффузию должно быть более заметным при низких температурах, когда концентрация вакансий, образованных за счет обычной тепловой подвижности, низка. [58]

Схема опыта по обнаружению области с дырочной проводимостью вблизи острия на л-гер-мании. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5