Основной кристалл

Cтраница 5

Свойства точечного контакта можно объяснить, предполагая, что вблизи острия в процессе электрической формовки, которую проходят все диоды, вследствие нагревания током образуется небольшая область с механизмом проводимости, противоположным механизму проводимости основного кристалла. Например, образуется р-область на кристалле n - Ge. Изменение механизма проводимости при нагревании называется термической конверсией. Термическую конверсию можно наблюдать и при общем нагревании кристалла, если на его поверхности имеются следы вещества, атомы которого могут служить донорами или акцепторами. [61]

Так, например, сопоставление спектров 3 и 5 на рис. 11.18 показывает, что полосы у 9 60 - 9 65 мк и 8 35 - 8 40 мк в спектрах обоих образцов, содержащих, согласно данным кристалл о-оптического анализа, одни и те же основные кристаллы, сохраняются, а интенсивность полосы у 9 20 мк в спектре 5 сильно уменьшилась. Следовательно, рассматриваемая полоса в спектрах 1 и 3 на рис. 11.18 относится к примеси. Это становится очевидным из сравнения кривых 1, 2 и 3 на рис. 11.27. На нем представлены спектры закристаллизованных при 620 С образцов стекла состава бисиликата натрия одной и той же плавки. Различие между образцами заключалось в том, что продолжительность их тепловой обработки была разная. Из этого рисунка видно, что спектр 1 относится к образцу, в котором основную часть продукта кристаллизации составляют кристаллы, имеющие максимум поглощения у 9 80 мк. Наоборот, в образце, к которому относится спектр 3, основную часть составляют кристаллы, имеющие максимум поглощения у 10 25 мк. Спектр 2 относится к промежуточному случаю. [62]

Это отчасти объясняется тем, что изотопические примеси входят в решетку как примеси замещения. Они распределены по основному кристаллу случайным образом, и перенос энергии от одной примеси к другой аналогичен переносу в неупорядоченной системе, хотя и происходит в отчетливо выраженной периодической решетке. В этой системе примесные узлы, если иметь в виду расстояние между ними, распределены случайно, но характеризуются одной и той же энергией. Таким образом, изотопически-смешанные кристаллы представляют собой удобную модельную систему для проверки теоретических концепций описания неупорядоченных твердых тел. [63]

Схематичное изображение процесса получения сплавного р-л-пере. [64]

В последнее время применяются так называемые эпитаксиальные пленки. Их получают наращиванием полупроводника на основной кристалл. Пленки должны точно повторять кристаллическую структуру подложки, но могут отличаться типом проводимости, вследствие чего можно создать р - n - переходы с заданной концентрацией носителей зарядов, получить низкоомные слои на высокоомных полупроводниках и наоборот. [65]

Страницы: 1 2 3 4 5