Толстая база

Cтраница 1

Прямая характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при прямом включении ( б. [1]

Для толстой базы электронная и дырочная составляющие полного тока становятся одинаковыми на расстоянии, примерно равном диффузионной длине от перехода. [2]

Наличие толстой базы в структуре динистора характерно для большинства реальных приборов по конструктивно-технологическим причинам. Коэффициент переноса к в такой базе существенно меньше единицы, поскольку обычно w L. [3]

Прямая характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при прямом включении ( б. [4]

В случае толстой базы ( рис. 2 - 35, а и 2 - 36, а) ток основных носителей ( в данном случае - электронов) мал только вблизи перехода; на расстоянии ( 2 - т - 3) L от перехода, где слой базы находится почти в равновесном состоянии и роль неосновных носителей ничтожна, ток основных носителей является главным компонентом и имеет практически чисто дрейфовый характер, как в обычном однородном полупроводнике. [5]

В случае толстой базы электронная и дырочная составляющие полного тока становятся одинаковыми на расстоянии порядка диффузионной длины от перехода. [6]

В транзисторах с относительно толстой базой, например сплавных, увеличение р связано с ростом времени жизни неосновных носителей в базе. [7]

Постоянная времени диода с толстой базой при низкой частоте гСДИф т / 2 (3.40) тоже характеризует время исчезновения заряда. Действительно, т - время жизни неосновных носителей - как раз и показывает, в течение какого времени концентрация неосновных носителей изменится в е раз из-за рекомбинации. [8]

Постоянная времени диода с толстой базой при низкой частоте гСд11ф т / 2 (3.40) тоже характеризует время исчезновения заряда. Действительна, т - время жизни неосновных носителей как раз и показывает, в течение какого времени концентрация неосновных носителей изменится в е раз из-за рекомбинации. [9]

Постоянная времени диода с толстой базой при низкой частоте гСД фт / 2 (3.40) тоже характеризует время исчезновения заряда. Действительно, т - время жизни неосновных носителей - как раз и показывает, в течение какого времени концентрация неосновных носителей изменится в е раз из-за рекомбинации. [10]

Таким образом, диод с толстой базой может быть использован в качестве магнитодиода при соответствующем выборе геометрических размеров базы диода и электрофизических параметров исходного материала. [11]

Прямые ветви вольт-амперных характеристик германиевого магнито-диода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией. [12]

Распределение концентрации неосновных носителей в базе диода с толстой базой при разных напряжениях.| Обратные ветви вольт-амперных характеристик диодов с толстой и с тонкой базой с учетом экстракции неосновных носителей заряда из прилегающих к / ь / г-переходу областей.| Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода при разных обратных напряжениях, поясняющее неизменность обратного тока ( тока насыщения в диоде с толстой базой при экстракции неосновных носителей. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5