Cтраница 5
Так как аргументы гиперболических котангенсов оказываются большими, расчет параметров диода в данном случае аналогичен расчету при высоких частотах диода с толстой базой. Это относится к тем формулам, в которые еще не введен ток насыщения. [61]
Пока ток инжекции в сильнолегированную область мал по сравнению с общим током, последний пропорционален ехр ( jr) диодов с тонкой и толстой базой. [62]
Значение коэффициента к в каждом конкретном случае определяется тем, насколько отношение протяженности компенсированной области к диффузионной длине приближается к определению тонкой или толстой базы. Диоды, у которых WILP - 3, имеют сравнительно высокую эффективность электролюминесценции, равную 0 5 10 - 4 - 10 - 3 фотон / электрон. [63]
Значение коэффициента к в каждом конкретном случае определяется тем, насколько отношение протяженности компенсированной области к диффузионной длине приближается к определению тонкой или толстой базы. Диоды, у которых WILP C 3, имеют сравнительно высокую эффективность электролюминесценции, равную 0 5 10 - - 10 - 3 фотон / электрон. [64]
После спада обратного тока до установившегося значения ib уст требуется поэтому еще некоторая пауза tnay3 для того, чтобы избыточные заряды исчезли и в глубинных слоях толстой базы. [65]