Толстая база

Cтраница 4

Частотные зависимости активного сопротивления ( а, диффузионной емкости ( б и постоянной времени ( в диодов с тонкой и толстой базами. [46]

Низкочастотное значение диффу-зионной емкости диода с тонкой базой значительно меньше, чем диода с толстой базой [ ср. [47]

В данном случае критерий низких частот отличается от того, который применялся для диода с толстой базой. Действительно, условие тонкой базы диода ( W L) при низких частотах ( о - 0) приводит к тому, что аргументы гиперболических котангенсов в (3.34) будут малыми. [48]

В данном случае критерий низких частот отличается от того, который применялся для диода с толстой базой. Действительно, условие тонкой базы диода ( W C L) при низких частотах ( со - 0) приводит к тому, что аргументы гиперболических котангенсов в (3.34) будут малыми. [49]

В данном случае критерий низких частот отличается от того, который применялся для диода с толстой базой. Действительно, условие тонкой базы диода ( UPC L) при низких частотах ( со - 0) приводит к тому, что аргументы гиперболических котангенсов в (3.34) будут малыми. [50]

Частотные зависимости активного сопротивления ( а, диффузионной емкости ( б и постоянной времени ( в диодов с тонкой и толстой базами. [51]

Низкочастотное значение диффузионной, емкости диода с тонкой базой значительно меньше, чем диода с толстой базой [ ср. [52]

Обычно время выключения на порядок превышает время включения и зависит от геометрических размеров и степени легирования толстой базы. [53]

В соответствии с (3.29) характерн - стической длиной, определяющей свойства и многие параметры диода с толстой базой, является диффузионная длина неосновных носителей заряда в базе диода. [54]

Процесс включения тиристора при различных видах нагрузки. [55]

Длительность этапа установления стационарного тока можно приближенно вычислить по времени, которое необходимо для возрастания заряда в толстой базе от критического значения до его величины в режиме насыщения. Это время приблизительно равно 3 - н 4 временам жизни носителей заряда в базе в режиме насыщения. [56]

Схема переключения диода.| Характер переходных процессов при отпирании, переключении и запирании диода. [57]

Время диффузии является столь же фундаментальным параметром полупроводниковых приборов в случае тонкой базы, как время жизни для толстой базы. [58]

Диод, у которого толщина базовой области значительно больше Ln ( или Lp), называют диодом с толстой базой. [59]

Так как аргументы гиперболических котангенсов оказываются большими, расчет параметроь диода в данном случае аналогичен расчету при высоких частотах диода с толстой базой. Это относится к тем формулам, в которые еще не введен ток насыщения. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5