Толстая база
Cтраница 3
Это выражение для плотности тока насыщения в диоде с толстой базой можно получить также, исходя из того, что обрат - ный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда в прилегающих к р-я-переходу областях. [31]
 |
Зависимость противления от уровня толщины базы. [32] |
Этот случай соответствует не очень высоки уровням инжекции или достаточнс толстой базе. [33]
Полученное выражение отличается от выражения для диффузионной емкости диода с толстой базой (3.38) сравнительно небольшим множителем 2, который можно отнести за счет усреднения. [34]
Полученный результат отличается от выражения для диффузионной емкости диода с толстой базой (3.38) сравнительно небольшим множителем 2, который можно отнести за счет усреднения. [35]
Полученное выражение отличается от выражения для диффузионной емкости диода с толстой базой (3.38) сравнительно небольшим множителем 2, который можно отнести за счет усреднения. [36]
 |
Диаграммы распределения зарядов в базах тиристора ( а и кривая обратного тока ( б в период выключения тиристора через анод. [37] |
Благодаря переходу дырок из базы р2 в базу % концентрация их в толстой базе, а следовательно, и электронов ( закон зарядной нейтральности) убывает, но эта убыль происходит медленнее, чем в тонкой базе. [38]
В результате увеличения сопротивления базы прямое напряжение, приложенное к диоду с толстой базой, перераспределяется: уменьшается доля напряжения, приходящаяся на р-и-пере-ход. Этот процесс приводит к резкому уменьшению тока, проходящего через диод, так как этот ток связан экспоненциальной зависимостью с напряжением на / э-и-переходе. Кроме того, ток, проходящий через р - / г-переход, уменьшается из-за уменьшения тока насыщения, как и в диоде с тонкой базой. [39]
 |
Прямые ветви вольт-амперных характеристик германиевого магнито-диода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией. [40] |
В результате увеличения сопротивления базы прямое напряжение, приложенное к диоду с толстой базой, перераспределяется: уменьшается доля напряжения, приходящаяся на р-п-пе-реход. [41]
В результате увеличения сопротивления базы прямое напряжение, приложенное к диоду с толстой базой, перераспределяется: уменьшается доля напряжения, приходящаяся на р-п-пере-ход. Этот процесс приводит к резкому уменьшению тока, проходящего через диод, так как этот ток связан экспоненциальной зависимостью с напряжением на p - n - переходе. Кроме того, ток, проходящий через р-га-переход, уменьшается из-за уменьшения тока насыщения, как и в диоде с тонкой базой. [42]
Низкочастотное значение диффузионной емкости диода с тонкой базой значительно меньше, чем диода с толстой базой [ ср. [43]
В соответствии с (3.29) характеристической длиной, определяющей свойства и многие параметры диода с толстой базой, является диффузионная длина неосновных носителей заряда в базе диода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5