Толстая база

Cтраница 2

Таким образом, в диоде с толстой базой плотность тока насыщения не зависит от напряжения. [16]

Распределение примесей в структуре диффузионного транзистора с сильнолегированным слоем в активной базовой области. [17]

Транзисторы с диффузионными эмиттером и коллектором благодаря более толстой базе и отсутствию электрического поля почти во всей области базы, обладают более высокой устойчивостью к вторичному пробою, чем транзисторы с диффузионной базой. [18]

Если рассматривать такой диод как диод с толстой базой, то cth ( W / L) l, что дает погрешность 24 % от точного значения. [19]

При низких частотах постоянная времени диода с толстой базой много больше постоянной времени диода с тонкой базой [ ср. [20]

Если рассматривать такой диод как диод с толстой базой, то cth ( W / L) l, что дает погрешность 24 % от точного значения. [21]

При низких частотах постоянная времени диода с толстой базой много больше постоянной времени диода с тонкой базой [ ср. [22]

Зависимость базового сопротивления от уровня инжекции и толщины базы. [23]

Этот случай соответствует не очень высоким уровням инжекции или достаточно толстой базе. [24]

Это выражение для плотности тока насыщения в диоде с толстой базой можно получить также исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей в прилегающих к электронно-дырочному переходу областях. [25]

Распределение кон. [26]

Это выражение для плотности тока насыщения в диоде с толстой базой можно получить также, исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда в прилегающих к р - / г-переходу областях. [27]

Зависимость коэффициента передачи от отношения Wn / Lp. [28]

WnJLp, которые наиболее типичны для составляющего транзистора с толстой базой в тиристоре. Большее значение KN по сравнению с рп объясняется тем фактом, что при равных концентрациях дырок у эмиттера кривая распределения дырок р ( х) в базе кольцевого транзистора идет ниже, чем в базе полоскового. В результате величина р-рп, пропорциональная скорости рекомбинации, будет меньше в кольцевой структуре и большее число дырок достигнет коллектора. [29]

Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода с толстой базой при разных напряжениях. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5