Меза-структура
Cтраница 1
 |
Меза-днод с диффузионным р-п переходом. [1] |
Меза-структура ( рис. 2 - 5) отличается тем, что площадь р-п переходов, находящихся в бугорке, резко уменьшена. [2]
 |
Структура меза-транзистора. [3] |
Полученную меза-структуру ( рис. 4 - 51, б) слегка нагревают для удаления воска и разрезают на отдельные элементы. [4]
В обычных меза-структурах переход коллектор - база выделяется травлением, и с этим может быть связано возникновение дополнит, поверхностных центров рекомбинации, и в результате чего происходит снижение стабильности коэфф. Переходы, создаваемые - на такой подготовленной поверхности, защищаются окисной пленкой с самого начала технологич. [5]
В обычных меза-структурах переход коллектор - база выделяется травлением, и с этим может быть связано возникновение дополнит, поверхностных центров рекомбинации, и в результате чего происходит снижение стабильности коэфф. Переходы, создаваемые па такой подготовленной поверхности, защищаются окпсной пленкой с самого начала технология, цикла, что повышает экс-илуатац. [6]
Для получения меза-структур на германии с вплавленными в него навесками электродного сплава часто используют контролируемое травление без дополнительной маскировки отдельных участков. Травитель подбирают такого состава, чтобы он реагировал только с германием и не растворял электродного сплава. Этот метод травления меза-структур используют обычно для создания переходов с очень малой площадью. [7]
Для получения меза-структур на пластину кремния со стороны р-типа наносят локальную защиту от травления - церезин, который намазывают на пластину через маску с отверстиями, соответствующими размеру требуемой меза-структуры и расположенными друг относительно друга на заданном расстоянии, определяющим величину получающихся в дальнейшем кристаллов. Локальную защиту можно получать также, напыляя воск через соответствующую маску. [8]
 |
Схема осциллографической установки для изучения выпрямляющих свойств р-л-переходов. [9] |
После травления меза-структуры пластину тщательно промывают водой и высушивают. Затем при помощи иглы снимают пленку лака, вновь промывают водой, спиртом и сушат фильтровальной бумагой. Пластину помещают на столик характе-риографа ( рис. 109), который служит одним из электрических контактов. Вторым контактом служит игла, помещенная на манипуляторе. Для наблюдения характеристики на экране осциллографа ( рис. ПО) касаются иглой поочередно каждой из меза-структур. Если при увеличении напряжения обратная ветвь / - У-харак-теристики остается горизонтальной ( рис. 110, а), то качество р - n - перехода хорошее. Если же наблюдается отклонение ( значительный обратный ток) ( рис. ПО, б), то переход неудовлетворителен, Форма отчета. Отчет о работе должен содержать: 1) описание технологической схемы и режимов загонки и разгонки бора; 2) описание методики измерения и результаты определения Rs, 3) расчет поверхностной концентрации бора, глубины диффузионного слоя и общего количества примеси при загонке; 4) расчет и экспериментальное определение глубины р - n - перехода после разгонки; 5) построение диффузионного профиля для erfc - распределения при загонке ( см. рис. 105); 5) диффузионный профиль для ехр-распределения ( расчет по (15.8); 7) описание / - У-характеристики меза-структур; 8) выводы по работе. [10]
После травления меза-структуры пластину тщательно промывают водой и высушивают. Затем при помощи иглы снимают пленку лака, вновь промывают водой, спиртом и сушат фильтровальной бумагой. Пластину помещают на столик характе-риографа ( рис. 109), который служит одним из электрических контактов. Вторым контактом служит игла, помещенная на манипуляторе. Для наблюдения характеристики на экране осциллографа ( рис. ПО) касаются иглой поочередно каждой из меза-структур. Если при увеличении напряжения обратная ветвь / - У-харак-теристики остается горизонтальной ( рис. 110, а), то качество р - n - перехода хорошее. Если же наблюдается отклонение ( значительный обратный ток) ( рис. 110, б), то переход неудовлетворителен. Отчет о работе должен содержать: 1) описание технологической схемы и режимов загонки и разгонки бора; 2) описание методики измерения и результаты определения Rs; 3) расчет поверхностной концентрации бора, глубины диффузионного слоя и общего количества примеси при загонке; 4) расчет и экспериментальное определение глубины р-и-перехода после разгонки; 5) построение диффузионного профиля для erfc - распределения при загонке ( см. рис. 105); 5) диффузионный профиль для ехр-распределения ( расчет по (15.8); 7) описание / - - характеристики меза-структур; 8) выводы по работе. [11]
После получения требуемых меза-структур защитное покрытие удаляют с пластин, обрабатывая их в растворителе. Полученные структуры окончательно нромывают в деионизованной воде, сушат их и защищают переходы от воздействия внешней среды. Затем структуры разрезают ( иногда раскалывают или сразу растравливают до основания) на кристаллы, с таким расчетом, чтобы каждая меза-структура оказалась примерно в центре кристалла. Далее к кристаллу присоединяют выводы и окончательно герметизируют прибор. [12]
Пластину с меза-структурами раскалывают ланцетом и полученные кристаллы передают на термокомпрессию. [13]
Так, для сплавных меза-структур материалы защитного покрытия должны обладать достаточной механической прочностью, чтобы надежно защищать их от механических воздействий. [14]
За время травления образуются меза-структуры с р-п переходами, выходящими на коническую поверхность. Затем пластины тщательно промывают и сушат. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5